| 講演名 | 1997/8/26 タンクルシリサイドを用いた低リーク電流・低抵抗コンタクト形成技術 谷口 祥之, 伊野 和英, 大見 忠弘, |
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| 抄録(和) | デバイス構造の微細化、ウェハの大口径化に伴いプロセス温度の低温化が求められている。本研究では、自然酸化膜の形成を完全に抑えた状態でTaシリサイド反応を行うことにより2×10^<-9>Ω・cm^2という超低コンタクト抵抗の金属/半導体接合形成を低温で(550℃)実現した。また、低ドーパント濃度の基板を用いることにより、550℃という低温で10^<-10>A/cm^2台の低リーク電流の接合形成も同時に実現した。 |
| 抄録(英) | Ta silicided ultra-shallow junctions (70nm and 40nm for n^+p and p^+n junctions) have been successfully formed at an annealing temperature as low as 550℃. By employing an ultraclean ion implanter, Si-encapsulated silicidation process and low-dopant-concentration substrate, ultra-low leakage current of the order of 10^<-10>A/cm^2 and ultra-low metal-to-Si contact resistance of the order of 10^<-9>Ω・cm^2 have been also achieved. |
| キーワード(和) | Si層表面保護金属シリサイド形成プロセス / Taシリサイド / メタルスルーイオン注入 |
| キーワード(英) | Si-Encapsulated Silicidation Process / Ta Silicide / Metal-Through Ion Implantation |
| 資料番号 | SDM97-95 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | タンクルシリサイドを用いた低リーク電流・低抵抗コンタクト形成技術 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Low-Leakage-Current and Low-Contact-resistance Tantalum Silicided Junctions by Low-Temperature Process |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si層表面保護金属シリサイド形成プロセス / Si-Encapsulated Silicidation Process |
| キーワード(2)（和/英） | Taシリサイド / Ta Silicide |
| キーワード(3)（和/英） | メタルスルーイオン注入 / Metal-Through Ion Implantation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 谷口 祥之 / Yoshiyuki Taniguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊野 和英 / Kazuhide Ino |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学大学院工学研究科電子工学専攻 Department of Electronic Engineering, Graduate School of Engineering, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-95 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |