| 講演名 | 1997/8/26 MOSデバイス中の可動イオンを不活性化する紫外線照射の効果 逸見 学, 町田 克之, 高橋 淳一, 秋谷 秀夫, 中山 諭, 吉野 秀男, |
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| 抄録(和) | MOSデバイス中の可動イオンに対する紫外線照射の効果を調べた。MOSデバイスの多結晶シリコンゲートを設けた後の配線工程中で故意にナトリウムを混入させて試料とした。アルミニウムパッドを形成した後で、加熱しつつ紫外線(波長領域240-370nm)を照射した。能動MOSトランジスタ、寄生MOSトランジスタともに、ナトリウム混入でシフトした閾値電圧が、紫外線照射により本来の値に戻った。シリコン酸化膜中の正電荷のナトリウムイオンが、紫外線照射で励起された電子によって中和されたものと推測される。 |
| 抄録(英) | The effect of ultraviolet (UV) light irradiation on mobile ions in MOS devices was studied. MOS devices were intentionally contaminated with sodium during the interconnect formation process after the poly-Si gates were formed. After aluminum pad formation, these devices were irradiated with UV light (wavelength 240-370 nm) at elevated temperatures. Sodium-induced threshold-voltage shifts of active and parasitic MOS transistors were reduced to be zero during UV light irradiation. It is assumed that positive sodium ions in the oxides are neutralized with electrons excited by UV light irradiation. |
| キーワード(和) | 可動イオン / 紫外線照射 / 不活性化 / MOSデバイス |
| キーワード(英) | mobile ions / UV light irradiation / passivation / MOS devices |
| 資料番号 | SDM97-94 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSデバイス中の可動イオンを不活性化する紫外線照射の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of UV light irradiation on passivation of mobile ions in MOS devices |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 可動イオン / mobile ions |
| キーワード(2)（和/英） | 紫外線照射 / UV light irradiation |
| キーワード(3)（和/英） | 不活性化 / passivation |
| キーワード(4)（和/英） | MOSデバイス / MOS devices |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 逸見 学 / Manabu Itsumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 町田 克之 / Katsuyuki Machida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高橋 淳一 / Jun-ichi Takahashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 秋谷 秀夫 / Hideo Akiya |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中山 諭 / Satoshi Nakayama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTシステムエレクトロニクス研究所 NTT System Electronics Labs. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 吉野 秀男 / Hideo Yoshida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | NTTエレクトロニクス(株) NTT Electronics Corp. |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-94 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |