| 講演名 | 1997/8/26 Si(100)表面でのCH_4の低温反応 伊是名 篤志, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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| 抄録(和) | 高清浄ホットウォール縦型減圧CVD装置を用いて、Si(100)エピタキシャル表面でのCH_4の低温反応について、500～750℃、50～1600Paの領域で研究を行った。CH_4をSi表面にさらすと650℃以上の反応温度ではCがSi内部へ拡散しSiCが形成された。600℃では、60分以下でCはSi内部に拡散せずSi表面のみにSiCが形成された。また、RHEED観察により[001]方向にSiに対する4倍周期構造が観察された。4倍周期構造は拡散が始まる120分のCH_4曝露では消滅し、SiCのストリークが現れた。CH_4のSi表面での反応にはCH_4圧力依存性があるが、550℃以下の低温では、Si表面に付着したCの原子面密度はCH_4圧力と曝露時間の積で規格化でき、C原子面密度はラングミュア型の吸着式でよく近似された。 |
| 抄録(英) | Surface reaction of CH_4 on the Si(100) epitaxial surface was investigated in the low-temperature region 500℃～750℃, at 50～1600Pa using an ultraclean vertical-type hot-wall LPCVD system. In the case of the CH_4 exposure at≧650℃, C diffused into Si and SiC was formed. At 600℃, SiC was formed only at the Si surface without diffusion of C into Si for CH_4 exposure within 60min, and the 4-fold periodic structure toward the [001] azimuth was observed by RHEED. The 4-fold periodic structure disappeared when diffusion of C into Si began at 120min, and the SiC streak appeared. Also, pressure dependence was observed in the surface reaction of CH_4 on Si. At≦550℃, the C atom concentration was normalized with the product of the CH_4 pressure and the exposure time, and was approximated excellently with the Langmuir-type rate equation. |
| キーワード(和) | CH_4 / 表面反応 / Cの拡散 / Si(100)表面 / 4倍周期構造 / ラングミュア型 |
| キーワード(英) | CH_4 / surface reaction / diffusion of C / Si(100) surface / 4-fold periodic structure / Langmuir-type |
| 資料番号 | SDM97-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si(100)表面でのCH_4の低温反応 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-Temperature Reaction of CH_4 on Si(100) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | CH_4 / CH_4 |
| キーワード(2)（和/英） | 表面反応 / surface reaction |
| キーワード(3)（和/英） | Cの拡散 / diffusion of C |
| キーワード(4)（和/英） | Si(100)表面 / Si(100) surface |
| キーワード(5)（和/英） | 4倍周期構造 / 4-fold periodic structure |
| キーワード(6)（和/英） | ラングミュア型 / Langmuir-type |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊是名 篤志 / Atsushi IZENA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫻庭 政夫 / Masao SAKURABA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / Takashi MATSUURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi MUROTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-93 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |