| 講演名 | 1997/8/26 NH_3によるSi表面の低温熱窒化 渡辺 健, 櫻庭 政夫, 松浦 孝, 室田 淳一, |
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| 抄録(和) | 高清浄LPCVD装置を用いて、NH_3(124～1400Pa)による300～650℃でのSi表面への低温熱窒化について研究を行なった。300℃、400℃におけるNH_3窒化では、希HF処理後の水素終端したSi表面では、N原子面密度はSiハイドライドの減少にともなって増加し、N原子面密度がSi表面原子密度(6.8×10^<14>cm^<-2>と同程度に達すると、Siハイドライドは観察されなくなった。一方、650℃のAr雰囲気中で熱処理を行なった清浄Si表面では、N原子面密度がNH_3供給直後に約2×10^<14>cm^<-2>まで増加すると同時に、Siハイドライドが観察され、MH_3分子が解離吸着していることが明らかになった。さらにNH_3を供給すると、窒化の進行とともにSiハイドライドは減少した。 |
| 抄録(英) | Thermal nitridation of Si(100) in an NH_3 environment (124-1400Pa) at 300-650℃ was investigated using an ultraclean low pressure hot-wall reactor system. The N atom concentration (n_N) increased and the Si-hydride decreased with increasing NH_3 exposure time on the H-terminated Si surface at 300℃ and 400℃ after dipping into a 2%-diluted hydrofluoric acid solution followed by deionized water rinse. The Si-hydride became hardly observed when n_N reached to the surface Si atom concentration (6.8×10^<14>cm^<-2>). On the H-free Si surface after preheating in Ar at 650℃, n_N increased up to ～2×10^<14>cm^<-2> with the appearance of the Si-hydride just after the NH_3 exposure at 300℃ and 400℃, indicating that NH_3 dissociatively adsorbs on the Si dangling bonds. Further atomic-order nitridation by NH_3 was accompanied by the decrease of Si-hydride. |
| キーワード(和) | NH_3 / 熱窒化 / LPCVD / Siハイドライド |
| キーワード(英) | NH_3 / thermal nitridation / LPCVD / Si-hydride |
| 資料番号 | SDM97-92 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/8/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | NH_3によるSi表面の低温熱窒化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thermal Nitridation of the Si Surface Using NH_3 at Low Temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NH_3 / NH_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 熱窒化 / thermal nitridation |
| キーワード(3)（和/英） | LPCVD / LPCVD |
| キーワード(4)（和/英） | Siハイドライド / Si-hydride |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡辺 健 / Takeshi WATANABE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 櫻庭 政夫 / Masao SAKURABA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 孝 / Takashi MATSUURA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 室田 淳一 / Junichi MUROTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設 Laboratory for Electronic Intelligent Systems, Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University |
| 発表年月日 | 1997/8/26 |
| 資料番号 | SDM97-92 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 240 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |