| 講演名 | 1997/6/20 ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価 古畑 直規, 浅井 周二, 前多 正, 藤井 正浩, 大野 泰夫, |
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| 抄録(和) | ソースドレイン領域をMOMBE p^+-GaAs選択成長で形成したpチャネルHJFETの試作と評価を行った. バリア層として高Al組成(0.75)のi-AlGaAs, チャネル層として2×10^<18>cm^<-3>のp-GaAsを用いた. デバイス特性は, 0.5μmゲート長でgm_ |
| 抄録(英) | This paper reports on performance of 0.5μm gate p-channel HJFET for GaAs complementary ICs. The device structure consists of i-Al_<0.75>Ga_<0.25>As barrier layer, p-GaAs(2×10^<18>cm^<-3>) channel layer and p^+-GaAs(2×10^<20>cm^<-3>) contact layers. The contact layers were selectively grown by MOMBE. This device achieved gm_ |
| キーワード(和) | GaAsコンプリメンタリIC / pチャネルHJFET / MOMBE / SPICE / 低消費電力 |
| キーワード(英) | GaAs complementary ICs / p-channel HJFET / MOMBE / SPICE / low power consumption |
| 資料番号 | ED97-63 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/6/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ソースドレイン領域選択成長pチャネルHJFETの試作と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Performance of p-channel HJFET with Selectively Grown Contact Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAsコンプリメンタリIC / GaAs complementary ICs |
| キーワード(2)（和/英） | pチャネルHJFET / p-channel HJFET |
| キーワード(3)（和/英） | MOMBE / MOMBE |
| キーワード(4)（和/英） | SPICE / SPICE |
| キーワード(5)（和/英） | 低消費電力 / low power consumption |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 古畑 直規 / Naoki FURUHATA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 NEC Opto-Electronics Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 浅井 周二 / Shuji ASAI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NEC ULSIデバイス開発研究所 NEC ULSI Device Development Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 前多 正 / Tadashi MAEDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 NEC Opto-Electronics Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 藤井 正浩 / Masahiro FUJII |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 NEC Opto-Electronics Research Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 大野 泰夫 / Yasuo OHNO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NEC光エレクトロニクス研究所 NEC Opto-Electronics Research Laboratories |
| 発表年月日 | 1997/6/20 |
| 資料番号 | ED97-63 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |