| 講演名 | 1997/6/20 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC 石田 秀俊, 小泉 治彦, 宮辻 和郎, 田中 毅, 上田 大助, |
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| 抄録(和) | 位相シフト露光法により作製した0.2μmゲートFETを使用して, 縦横型回路方式によるGaAsフロントエンドICを開発した. 0.2μmゲートFETの良好な低電圧動作特性と直流電流を再利用できる縦積型回路構成との融合により, 周波数1.5GHzにおいて, 3.6V, 3mAというバイアス条件で変換利得30db, 出力側三次相互変調歪9dBm, 雑音指数1.6dBという良好な高周波特性を得た. |
| 抄録(英) | We have developed a novel stack configuration of front-end IC, where the current can be reused in the whole circuit blocks such as low noise amplifier, local amplifier and mixer. Thereby, the power dissipation is reduced by the factor of three. Excellent high frequency performance such as conversion gain of 30dB and NF of 1.6dB at 1.5GHz is attained under the conditions of supply voltage and current of 3.6V and 3mA, respectively. |
| キーワード(和) | 位相シフト露光法 / 縦積型回路 / GaAs / フロントエンド / 低消費電力 |
| キーワード(英) | phase-shift lithography / current-reuse configuration / GaAs / Front-end / low power |
| 資料番号 | ED97-62 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/6/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A low power GaAs front-end IC with current-reuse configuration. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 位相シフト露光法 / phase-shift lithography |
| キーワード(2)（和/英） | 縦積型回路 / current-reuse configuration |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs / GaAs |
| キーワード(4)（和/英） | フロントエンド / Front-end |
| キーワード(5)（和/英） | 低消費電力 / low power |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石田 秀俊 / H. Ishida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Matsushita Electronics Corporation Electronics Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小泉 治彦 / H. Koizumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Matsushita Electronics Corporation Electronics Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮辻 和郎 / K. Miyatsuji |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Matsushita Electronics Corporation Electronics Research Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田中 毅 / T. Tanaka |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Matsushita Electronics Corporation Electronics Research Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 上田 大助 / D. Ueda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電子工業(株)電子総合研究所 Matsushita Electronics Corporation Electronics Research Laboratory |
| 発表年月日 | 1997/6/20 |
| 資料番号 | ED97-62 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 109 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |