| 講演名 | 1997/7/25 Defects study of retrograde twin well CMOS that has MeV ion implanted buried layer , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | High energy ion implanted retrograde well and buried layer applications are newly interested for the scailing of well design rule and latch-up improvement in ULSI. But the high energy ion implant induced defects can degrade the device electrical characteristics. So we investigate the relationship between the defects and device degradation effects in the retrograde well and BILLI well structures. We found that the high energy ion implanted buried layer could make degradation of junction leakage currents and gate oxide reliability. Finally we suggest the method for reducing the defects and improve the device characteristics by RTP anneal of which temperature is higher than 1000℃. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | high energy ion implant / retrograde well / buried layer / defects |
| 資料番号 | SDM97-70 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/7/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Defects study of retrograde twin well CMOS that has MeV ion implanted buried layer |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / high energy ion implant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jong-Kwan KIM |
| 第 1 著者 所属（和/英） | LG Semicon.,Ltd. |
| 発表年月日 | 1997/7/25 |
| 資料番号 | SDM97-70 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 196 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |