| 講演名 | 1997/7/24 A Fast and Accurate Program Method Providing Fully Controllable Threshold Voltage Distributions for Flash Memories , |
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| 抄録(和) | |||
| 抄録(英) | Various flash memory technologies have evolved with rapidly growing application areas. Several flash cell technologies such as NAND, AND, DiNOR [1] are using Fowler-Nordheim (F-N) tunneling. Improving the program speed while accurately controlling the threshold voltage (V_ | ) distribution is one of key issues, and it becomes crucial for the multi-level cell technology [2] This paper discusses fundamentals and characteristics of a very accurate and fast programming method providing fully controllable V_ | distributions for flash memories using F-N tunneling for programming. |
| キーワード(和) | |||
| キーワード(英) | Flah / Memory / Program / Distribution | ||
| 資料番号 | |||
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
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| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Fast and Accurate Program Method Providing Fully Controllable Threshold Voltage Distributions for Flash Memories |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Flah |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Tae-Sung Jung |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Samsung Electronics Co., Ltd. NVM Design |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |