| 講演名 | 1997/7/24 Characterizations of Ferroelectric Transistors with BaMgF_4 Dielectric , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The structure and electrical characteristics of metal-ferroelectric-semiconductor FET (MFSFET) for single transistor memory are presented. The MFSFET comprises of polysilicon islands as source/drain electrodes and BaMgF_4 film as a gate dielectric. The polysilicon source/drain were built-up prior to the film formation to suppress a degradation due to high thermal cycle. From the MFS capacitor, the remnant polarization and coercive field were measured to be about 0.6μC/cm^2 and 100 kV/cm, respectively. The fabricated MFSFETs also showed good hysteretic I-V curves, while the current levels disperse possibly due to film cracking or bad adhesion between the film and the Al electrode. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Polysilicon source/drain / BaMgF_4 / Remanent polarization / Ferroelectric switching |
| 資料番号 | SDM97-52 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterizations of Ferroelectric Transistors with BaMgF_4 Dielectric |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Polysilicon source/drain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Jong-Son Lyu |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Semiconductor Division, ETRI |
| 発表年月日 | 1997/7/24 |
| 資料番号 | SDM97-52 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 195 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |