| 講演名 | 1997/4/24 無水HFガスを用いた自然酸化膜エッチングにおける表面状態の観察 中澤 豊, 齋藤 洋司, |
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| 抄録(和) | 集積回路の高集積化、微細化、高性能化に伴い、シリコン表面上に形成された自然酸化膜の影響が無視できなくなり、自然酸化膜エッチングの重要性が増している。本研究では、無水HFガスを用いたドライエッチングに着目し、Ar励起プラズマを用いることによって、自然酸化膜エッチングの促進を試みた。放電電力および無水HF分圧の増加に伴い、エッチング速度が増加した。また、無水HF処理後の表面についてX線光電子分光分析を行った結果、プラズマを印加しなくても表面に無水HF分子が吸着し、プラズマを印加すると酸化膜が削れ、F-H結合がF-Si結合に置き換えられていくことが確認できた。 |
| 抄録(英) | With the trend toward down-scaling of a device size in the integrated circuits, the etching technique of the native oxide becomes important In this study, we try a dry etching by anhydrous hydrogen fluoride (AHF) and to accelerate the etching of the native oxide, using r.f. excited Ar-plasma. With increase of the r.f. power and AHF partial pressure, the etch rate increases. AHF molecules are found on the AHF treated surfaces with x-ray photoelectron spectroscopy. When the remote-plasma-excited Ar is supplied, the F-H bonds are replaced by the F-Si bonds. |
| キーワード(和) | 自然酸化膜 / 無水フッ化水素 / ドライエッチング / リモートプラズマ / X線光電子分光法 |
| キーワード(英) | native oxide / anhydrous hydrogen fluoride / dry etching / remote plasma / X-ray photoelectron spectroscopy |
| 資料番号 | ED97-11,SDM97-11 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 1997/4/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 無水HFガスを用いた自然酸化膜エッチングにおける表面状態の観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Surface analysis of native oxide etched by anhydrous HF |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 自然酸化膜 / native oxide |
| キーワード(2)（和/英） | 無水フッ化水素 / anhydrous hydrogen fluoride |
| キーワード(3)（和/英） | ドライエッチング / dry etching |
| キーワード(4)（和/英） | リモートプラズマ / remote plasma |
| キーワード(5)（和/英） | X線光電子分光法 / X-ray photoelectron spectroscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中澤 豊 / Yutaka Nakazawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 齋藤 洋司 / Yoji Saito |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 成蹊大学 工学部 電気電子工学科 Department of Electric Engineering and Electronics, Faculty of Engineering, Seikei University |
| 発表年月日 | 1997/4/24 |
| 資料番号 | ED97-11,SDM97-11 |
| 巻番号（vol） | vol.97 |
| 号番号（no） | 23 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 7 |
| 発行日 | |