| 講演名 | 2002/1/17 <112^^-0>面エピタキシャルZnO膜を用いたバルク横波トランスジューサ 門田 道雄, |
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| 抄録(和) | R面サファイア上には<112^^-0>面をもつエピタキシャルZnO膜が形成されるが、このZnO膜を用いて横波薄膜トランスジューサを作成しようとする場合には、R面サファイアとZnO膜の間に電極が必要とされる。しかし、電極の上に成膜されるZnO膜はc軸配向の多結晶薄膜となるため、従来<112^^-0>面をもつエピタキシャルZnO膜を用いた横波トランスジューサは実現できなかった。今回、筆者はR面サファイア上に<112^^-0>面をもつ低抵抗ZnO膜を成膜し、その膜を下地の電極代りとし、さらにその上にZnO膜を成膜したところ高抵抗の<112^^-0>面をもつエピタキシャルZnO圧電膜が得られた。これらのZnO膜上にアルミニウムの電極を形成することにより横波バルク波トランスジューサを実現した。 |
| 抄録(英) | A <112^^-0>-plane epitaxial ZnO film is deposited on an R-plane sapphire substrate. In order to generate a shear bulk wave using the ZnO film, a metal electrode is required at the boundary between the ZnO film and the R-sapphire. But a c-plane polycrystal ZnO film is generally deposited on the metal film on the R-sapphire substrate. Thus, the <112^^-0>-plane epitaxial ZnO film for the shear bulk transducer has not been realized until now. The author was able to realize a <112^^-0>-plane epitaxial ZnO film with low electrical resistivity on an R-sapphire substrate as a substitute for the metal electrode, and a <112^^-0>-plane piezoelectric epitaxial ZnO film on this low resistance epitaxial ZnO film. By using Al electrodes deposited on these epitaxial ZnO films, a strong shear bulk wave was been generated. |
| キーワード(和) | 横波トランスジューサ / <112^^-0>面ZnO膜 / エピタキシャルZnO膜 / R面サファイア |
| キーワード(英) | shear bulk wave transducer / <112^^-0>-plane ZnO film / epitaxisal ZnO film / R-Sapphire |
| 資料番号 | 2001-US-90,2001-EA-104 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
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| 開催期間 | 2002/1/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Ultrasonics (US) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | <112^^-0>面エピタキシャルZnO膜を用いたバルク横波トランスジューサ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shear bulk wave transducer made of <112^^-0>-plane epitaxial ZnO film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 横波トランスジューサ / shear bulk wave transducer |
| キーワード(2)（和/英） | <112^^-0>面ZnO膜 / <112^^-0>-plane ZnO film |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャルZnO膜 / epitaxisal ZnO film |
| キーワード(4)（和/英） | R面サファイア / R-Sapphire |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 門田 道雄 / Michio Kadota |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 村田製作所 Murata Mfg. Co., Ltd. |
| 発表年月日 | 2002/1/17 |
| 資料番号 | 2001-US-90,2001-EA-104 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 595 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |