講演名 | 2001/9/18 高結合・零温度特性をもつSiO_2/LiNbO_3構造の弾性表面波基板の解析と実験的検討 山之内 和彦, 石井 亨, |
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抄録(和) | 本研究は、回転Yカット-X伝搬のLiNbO_3上に逆の温度特性をもつSiO_2薄膜を設けたSiO_2/LiNbO_3構造の弾性表面波基板について検討し、薄いSiO_2膜厚H/λ(H:SiO_2膜厚、λ:弾性表面波の波長)が0.25付近において、k^2が0.2以上、界面短絡の場合, 伝搬減衰が零、周波数温度特性が零の基板であり、かつこの基板のレーリー波のk^2がほとんど零の擬似表面波基板の解析[1]と実験結果について述べる。 |
抄録(英) | In this paper, in order to improve the TCF the propagation characteristics of SiO_2/Rptated Y-cut, X-propagating LiNbO_3 leaky SAW substrates with a large k^2(Electromechanical coupling)and zero TCF(Temperature coefficient of frequency)are theretically investigated. The results showed a large k^2 of leaky SAW over 0.2(zero k^2 of Rayleigh mode), zero TCF and zero propagation attenuation in the case of metallized surface at thin film thickness of H/λ=⃥0.15~0.25(H:SiO_2 film thickness, λ:SAW wavelength)were obtained. The theoretical and experimental results will be described. |
キーワード(和) | 弾性表面波 / 薄膜構造基板 / 高結合圧電基板 / 零温度特性 |
キーワード(英) | surface Acoustic Wave / SiO_2/LiNbO_3 Substrate / High Coupling / zero TCF |
資料番号 | US2001-41 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | US |
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開催期間 | 2001/9/18(から1日開催) |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Ultrasonics (US) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 高結合・零温度特性をもつSiO_2/LiNbO_3構造の弾性表面波基板の解析と実験的検討 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Analysis and Experimental Rsults ofHigh Temperature Stable Surface Acoustic Wave Substrate of SiO_2/LiNbO_3 Structure with Super High Coupling |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 弾性表面波 / surface Acoustic Wave |
キーワード(2)(和/英) | 薄膜構造基板 / SiO_2/LiNbO_3 Substrate |
キーワード(3)(和/英) | 高結合圧電基板 / High Coupling |
キーワード(4)(和/英) | 零温度特性 / zero TCF |
第 1 著者 氏名(和/英) | 山之内 和彦 / Kazuhiko Yamanouchi |
第 1 著者 所属(和/英) | 東北工業大学電子工学科 Tohoku Institute of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 石井 亨 / Toru Ishii |
第 2 著者 所属(和/英) | 東北工業大学電子工学科 Tohoku Institute of Technology |
発表年月日 | 2001/9/18 |
資料番号 | US2001-41 |
巻番号(vol) | vol.101 |
号番号(no) | 316 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |