講演名 | 2000/5/15 PbTiO_3/SiO_2構造の薄膜圧電共振器の試作 三須 幸一郎, 吉田 憲司, 井幡 光詞, 山田 朗, 前田 智佐子, |
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抄録(和) | 薄膜圧電共振器は, GHz帯で動作し, 素子が小形にできるので, 広く研究されている.本文では, シリコン基板上にチタン酸鉛薄膜を形成した薄膜圧電共振器の試作結果について報告する.チタン酸鉛薄膜は, RFマグネトロンスパッタ法を用いて, 約1μmの厚みに形成した.さらに, チタン酸鉛とシリコン基板との間にSiO_2層を設け, 高次モードで共振する構造とした.試作共振器は, 1.4GHz付近に共振を示し, Q値が約100, 実効的な電気機械結合係数k^2が5.9%を示した. |
抄録(英) | Film bulk acoustic wave resonators at GHz frequencies are reported. These resonators employ lead titanate (PbTiO_3) as piezoelectric thin films. The films are formed by RF magnetron sputter deposition on silicon (Si) substrates. SiO_2 layer is formed between lead titanate and silicon substrate for higher mode operations. The resonant frequency of the fabricated resonator is 1.4GHz. The quality factor Q is about 100. The effective electromechanical coupling constant (k^2) is 5.9%. |
キーワード(和) | 圧電共振器 / 圧電薄膜 / チタン酸鉛 / RFマグネトロンスパッタ |
キーワード(英) | bulk acoustic wave resonators / piezoelectric films / lead titanate / RF magnetron sputter deposition |
資料番号 | US2000-11 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | US |
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開催期間 | 2000/5/15(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Ultrasonics (US) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | PbTiO_3/SiO_2構造の薄膜圧電共振器の試作 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Film Bulk Acoustic Wave Resonators and Filters composed of PbTiO_3/SiO_2 structure |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 圧電共振器 / bulk acoustic wave resonators |
キーワード(2)(和/英) | 圧電薄膜 / piezoelectric films |
キーワード(3)(和/英) | チタン酸鉛 / lead titanate |
キーワード(4)(和/英) | RFマグネトロンスパッタ / RF magnetron sputter deposition |
第 1 著者 氏名(和/英) | 三須 幸一郎 / Koichiro Misu |
第 1 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
第 2 著者 氏名(和/英) | 吉田 憲司 / Kenji Yoshida |
第 2 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
第 3 著者 氏名(和/英) | 井幡 光詞 / Koji Ibata |
第 3 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社情報技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Information Technology R&D Center |
第 4 著者 氏名(和/英) | 山田 朗 / Akira Yamada |
第 4 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Advanced Technology R&D Center |
第 5 著者 氏名(和/英) | 前田 智佐子 / Chisako Maeda |
第 5 著者 所属(和/英) | 三菱電機株式会社先端技術総合研究所 Mitsubishi Electric Corporation Advanced Technology R&D Center |
発表年月日 | 2000/5/15 |
資料番号 | US2000-11 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 72 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 8 |
発行日 |