| 講演名 | 1999/6/21 光音響法による四元化合物半導体CdInGaS_4の電子物性と熱物性の評価 沈 青, 豊田 太郎, |
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| 抄録(和) | 多元化合物半導体CdInGaS_4は、発光材料・光導電材料・光起電力材料として検討されており、光デバイスや光センサへの応用に可能性を持っている。これらの応用にはCdInGaS_4結晶の電子物性と熱物性に関する情報は重要である。光音響分光法(PAS)は、光励起後の無輻射遷移緩和による熱エネルギーを測定するため、半導体の熱物性と電子物性を評価することに有効である。今回、我々がCdInGaS_4試料に対して、光照射面に対する裏面でのPA信号の光変調周波数依存性を測定し、熱拡散と光励起キャリアの拡散によるPA信号を分離し、試料の熱物性値と光励起キャリアの物性値を同時に測定することを試みた。半導体に関する熱拡散とキャリア拡散を考慮したPA信号の解析とフィッティングすることによって、CdInGaS_4の熱拡散率、光励起キャリアの寿命、キャリア拡散率及び表面再結合速度が求まった。 |
| 抄録(英) | CdInGaS_4 has received interest because of attractive properties as photoconducting and plnotoluminescence material and potential for applicatios in light-emitting and optoelectronic devices. The studies on the optical, electronic and thermal properties are much important for applications. Photoacoustic (PA) technique is one of the photothermal detection and it has proved to be useful for investigating optical, electronic and thernml properties of various materials. In this work, we applied the PA method to investigate the electronic and thermtal propertis of CdInGaS_4. For semiconductor materials such as CdInGaS_4, the PA signals obtained in the transmission configuration were attributed to both the thermal diffusion and carrier transport processes. By fitting theoretical results of PA signal dependence on the modulation frequency to the experimental ones, we could determine the values of the thermal diffusivity (～0.005 cm^2/s), the excess-carrier lifetime (～1 ms), carrier diffusivity (～0.27 cm^2/s) and the surface recombination velocity (～150 cm/s) of the CdInGaS_4 samples. |
| キーワード(和) | 光音響法 / 半導体 / 熱拡散率 / 光励起キャリアの寿命 / キャリア拡散率 / 表面再結合速度 |
| キーワード(英) | photoacoustic method / CdInGaS_4 / thermal diffusivity / carrier lifetime / carrier diffusivity / surface recombination velocity |
| 資料番号 | US99-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
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| 開催期間 | 1999/6/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Ultrasonics (US) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光音響法による四元化合物半導体CdInGaS_4の電子物性と熱物性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoacoustic Charaeterization of Electronic and Thermal Properties of CdInGaS_4 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光音響法 / photoacoustic method |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体 / CdInGaS_4 |
| キーワード(3)（和/英） | 熱拡散率 / thermal diffusivity |
| キーワード(4)（和/英） | 光励起キャリアの寿命 / carrier lifetime |
| キーワード(5)（和/英） | キャリア拡散率 / carrier diffusivity |
| キーワード(6)（和/英） | 表面再結合速度 / surface recombination velocity |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 沈 青 / Q. Shen |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学量子・物質工学科 Department of Applied Physics and Chemistry, The University of Electro-Communications |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 豊田 太郎 / T. Toyoda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学量子・物質工学科 Department of Applied Physics and Chemistry, The University of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 1999/6/21 |
| 資料番号 | US99-16 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 132 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |