| 講演名 | 1995/7/20 圧電材料の直接接合 江田 和生, 富田 佳宏, 杉本 雅人, 小掠 哲義, 南波 昭彦, 池田 勝, 田口 豊, 岡野 哲之, |
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| 抄録(和) | LiNbO3、LiTaO3などの単結晶圧電体の直接接合について報告する。LiNbO3、LiTaO3について、同じ基板同士、または異なる基板同士の表面を親水化処理して、重ね合せ熱処理を行うことにより、良好な直接接合の得られることを見い出した。また各種圧電体と半導体Siの組合せについても、同様にして良好な直接接合が得られることを見い出した。これらの接合界面の微細構造とその応用について報告する。 |
| 抄録(英) | Direct bonding of single crystal line piezoelectric materials such as LiNbO3 and LiTaO3 is reported. As for LiNbO3 and LiTaO3, direct bonding was successfully obtained by hydrophillic surface treatment and followed heat treatment of the laminated substrates. The combination of various piezoelectric substrates and semiconductor Si was also examined and the direct bondig was also successfully obtained. The microstructure of the bonded interface and the application of the direct bonding are also reported. |
| キーワード(和) | 圧電 / ニオブ酸リチウム / タンタル酸リチウム / LiNbO3 / LiTaO3 / 接合 |
| キーワード(英) | piezoelectric / Lithium Niobate / Lithium Tantalate / LiNbO3 / LiTaO3 / bonding |
| 資料番号 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | US |
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| 開催期間 | 1995/7/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Ultrasonics (US) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 圧電材料の直接接合 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Direct Bonding of Piezoelectric Materials |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 圧電 / piezoelectric |
| キーワード(2)（和/英） | ニオブ酸リチウム / Lithium Niobate |
| キーワード(3)（和/英） | タンタル酸リチウム / Lithium Tantalate |
| キーワード(4)（和/英） | LiNbO3 / LiNbO3 |
| キーワード(5)（和/英） | LiTaO3 / LiTaO3 |
| キーワード(6)（和/英） | 接合 / bonding |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 江田 和生 / Kazuo Eda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 富田 佳宏 / Yoshihiro Tomita |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 杉本 雅人 / Masato Sugimoto |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小掠 哲義 / Tetsuyoshi Ogura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 南波 昭彦 / Akihiko Nanba |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 池田 勝 / Masaru Ikeda |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 田口 豊 / Yutaka Yaguchi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 松下電器産業(株)材料デバイス研究所 Materials and Devices Laboratory, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岡野 哲之 / Tetsuyuki Okano |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 松下テクノリサーチ Matsushita Technoresearch Inc. |
| 発表年月日 | 1995/7/20 |
| 資料番号 | |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 150 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |