| 講演名 | 2001/10/6 La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4を用いたランプエッジ型ジョセフソン接合の作製 生原 浩士, 埴岡 慶一, 三宅 高志, 河合 智行, 今和泉 卓也, 内山 哲治, 井口 家成, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 転移温度(Tc)がおよそ90KであるYBa_2Cu_3O_<7-δ>(YBCO)とおよそ30KのLa_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4(LSCO を用いて、ランプエッジ型ジョセフソン接合の作製を試みた。薄膜の作製にはレーザーアブレーション法を用い、適切な条件の下でアニール、エッチングを施した。作製されたYBCO/LSCOの接合について抵抗の温度依存性を測定したところYBCO、LSCOそれぞれの転移温度で急峻な2段階の超伝導転移を示した。また接合の電流-電圧特性を観測した結果、RSJモデルの示す特性にほぼ一致する結果を観測した. |
| 抄録(英) | In order to observe Josephson effect between different kinds of superconductors, We prepared rump-edge type junction made of La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4 and YBa_2Cu_3O_<7-δ>. The superconductive films we selected have very different critical temperature, the former's is 30K, the latter's is 90K. The films were deposited by pulsed laser ablation method, and the sample was formed by photolithography technique, ion-milling etching and cleaning. We observed the two drastic drops of resistance due to the superconducting transitions of LSCO and YBCO in measuring the temperature dependence of resistance. We obtained RSJ-like property in the voltage-current measurement of the ramp-edge type junction. |
| キーワード(和) | YBa_2Cu_3O_<7-δ> / La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4 / ランプエッジ型接合 |
| キーワード(英) | YBa_2Cu_3O_<7-δ> / La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4 / ramp-edge type junction |
| 資料番号 | SCE2001-31 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
|---|---|
| 開催期間 | 2001/10/6(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4を用いたランプエッジ型ジョセフソン接合の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of ramp-edge type Josephson Junction using La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | YBa_2Cu_3O_<7-δ> / YBa_2Cu_3O_<7-δ> |
| キーワード(2)（和/英） | La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4 / La_<1.85>Sr_<0.15>CuO_4 |
| キーワード(3)（和/英） | ランプエッジ型接合 / ramp-edge type junction |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 生原 浩士 / H. HAIBARA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 埴岡 慶一 / K. HANIOKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三宅 高志 / T. MIYAKE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河合 智行 / T. KAWAl |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 今和泉 卓也 / T. IMAIZUMI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 内山 哲治 / T. UCHIYAMA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 井口 家成 / I. IGUCHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東京工業大学大学院理工学研究科物性物理学専攻 Department of Physics, Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2001/10/6 |
| 資料番号 | SCE2001-31 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 348 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |