| 講演名 | 2001/7/7 超高真空EB蒸着によるNb及びTa薄膜のエピタキシャル成長 諸橋 信一, 伊村 領太郎, 佐野 尚樹, 鈴田 雅敏, |
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| 抄録(和) | X線などの電磁波の照射で生成される準粒子のトンネリング効率の向上が, 超伝導トンネル接合を量子型検出器として動作させるためには重要である。到達真空度4 x 10^<-9> Paの超高真空電子ビーム蒸着により, 基板加熱温度500～700℃でサファイア基板上にエピタキシャルNbおよびTa薄膜作製を行なった。Nb薄膜では超伝導転移温度(Tc)～9.3K, 残留抵抗比(RRR)～50, Ta薄膜ではTc～4.5K, RRRが45～140が得られた。 |
| 抄録(英) | It is important to raise the tunneling efficiency of quasiparticles generated by incident X-ray or photon for the operation of superconducting tunneling junction as the detector. Using the electron beam evaporation technique under the high-vacuum pressure of 4 x 10^<-9> Pa, we fabricate epitaxial Nb and Ta layers on a sapphire substrate at the substrate temperature of 500～700 ℃. Nb layer indicates the transition temperature(Tc)of ～9.3 K and the residual resistance ratio(RRR)of ～50. Ta layers indicates Tc～4.5 K and RRR of 45～140. |
| キーワード(和) | 超高真空電子ビーム蒸着 / 超伝導トンネル接合 / Nb及びTa薄膜のエピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | High-vacuum EB evaporation / Superconducting tunneling junction / Epitaxial growth of Nb abd Ta layers |
| 資料番号 | SCE2001-20 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2001/7/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高真空EB蒸着によるNb及びTa薄膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of Nb and Ta layers by high-vacuum EB evaporation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超高真空電子ビーム蒸着 / High-vacuum EB evaporation |
| キーワード(2)（和/英） | 超伝導トンネル接合 / Superconducting tunneling junction |
| キーワード(3)（和/英） | Nb及びTa薄膜のエピタキシャル成長 / Epitaxial growth of Nb abd Ta layers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 諸橋 信一 / S. Morohashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部機能材料工学科 Department of Advanced Materials Sciences and Engineering, Faculty of Engineering Yamaguchi University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊村 領太郎 / R. Imura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部機能材料工学科 Department of Advanced Materials Sciences and Engineering, Faculty of Engineering Yamaguchi University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 佐野 尚樹 / N. Sano |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部機能材料工学科 Department of Advanced Materials Sciences and Engineering, Faculty of Engineering Yamaguchi University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴田 雅敏 / M. Suzuta |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 山口大学工学部機能材料工学科 Department of Advanced Materials Sciences and Engineering, Faculty of Engineering Yamaguchi University |
| 発表年月日 | 2001/7/7 |
| 資料番号 | SCE2001-20 |
| 巻番号（vol） | vol.101 |
| 号番号（no） | 183 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |