| 講演名 | 2001/1/17 STJ検出器のための正規分布関数の形状をもつジョセフソントンネル接合 菊地 克弥, 飯塚 武志, 明連 広昭, 高田 進, |
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| 抄録(和) | ジョセフソントンネル接合をSTJ(Superconducting Tunnel Junction)フォトン検出器に応用する目的で、接合の電極形状に正規分布関数を導入した。この形状を用いることで、ジョセフソン電流を抑制するために必要な外部磁場を、従来の正方形接合で用いられる値の30mTから約1mT程度に小さくできることを明らかにした。正規分布接合のジョセフソン電流の磁場依存性では、サイドローブが発生せず、ジョセフソン電流の振動特性が現れなかった。この正規分布接合を実際にNb/AlO_x/Nbプロセスで作製し、4.2Kと0.3Kの極低温での測定を行ったところ、約1mT程度でジョセフソン電流やフィスケステップを抑制できることが判った。また、予備実験として5.9keV X線の入射実験を行い、5mT程度の外部磁場でSTJ検出器として動作できることを確認した。 |
| 抄録(英) | We have studied normal-distribution-function-shaped Josephson tunnel junctions for STJ (superconducting tunnel junction) photon detector applications. By employing a normal-distribution function to the shape of the superconducting electrodes, the Josephson current was suppressed with a small magnetic field of about 1mT. There were no oscillatory sidelobes in the Josephson current dependence on the magnetic field. We fabricated normal-distribution-function shaped junctions using a Nb/AlO_x/Nb process. The normal-distribution junctions fabricated were cooled down at 4.2K and 0.3K. In the experiments no sidelobes of the Josephson current and Fiske steps could be observed with an external magnetic field of about 1mT. Preliminary experiments showed X-ray detected signals with a magnetic field of 5mT. |
| キーワード(和) | STJ検出器 / 正規分布関数 / ジョセフソントンネル接合 / Nb/AlO_x/Nbプロセス |
| キーワード(英) | STJ detectors / Normal-distribution-function / Josephson tunnel junctions / Nb/AlO_x/Nb process |
| 資料番号 | SCE2000-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2001/1/17(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | STJ検出器のための正規分布関数の形状をもつジョセフソントンネル接合 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Normal-distribution-function-shaped Josephson Tunnel Junctions for STJ Detectors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | STJ検出器 / STJ detectors |
| キーワード(2)（和/英） | 正規分布関数 / Normal-distribution-function |
| キーワード(3)（和/英） | ジョセフソントンネル接合 / Josephson tunnel junctions |
| キーワード(4)（和/英） | Nb/AlO_x/Nbプロセス / Nb/AlO_x/Nb process |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 菊地 克弥 / Katsuya Kikuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部電気電子システム工学科 Department of Electrical and Electronic Systems, Faculty of Engineering, Saitama University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯塚 武志 / Takeshi Iizuka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部電気電子システム工学科 Department of Electrical and Electronic Systems, Faculty of Engineering, Saitama University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 明連 広昭 / Hiroaki Myoren |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部電気電子システム工学科 Department of Electrical and Electronic Systems, Faculty of Engineering, Saitama University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 高田 進 / Susumu Takada |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 埼玉大学工学部電気電子システム工学科 Department of Electrical and Electronic Systems, Faculty of Engineering, Saitama University |
| 発表年月日 | 2001/1/17 |
| 資料番号 | SCE2000-41 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 572 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |