| 講演名 | 2001/1/17 改質バリアの再結晶化過程の観察および改質バリアランプエッジ接合の特性 石丸 喜康, 呉 源, 堀部 修身, 田野 浩由, 鈴木 聡明, 樽谷 良信, 川邊 潮, 田辺 圭一, |
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| 抄録(和) | 改質バリアがアモルファス層から再結晶化するプロセスを、RHEEDを用いて直接観察することに成功した。a軸配向YBCO膜を用いて、アモルファス層形成のためのイオン照射にECR源を使用した。イオン加速電圧、イオン化ガス種、アニール温度等を振って実験した結果、アモルファス層から再結晶化したときのRHEEDパターンは、3種類あることが判明した。アモルファス層からYBCOが再結晶化する場合と、アモルファス層からYBCO以外のものがが再結晶化する場合があり、この場合リングパターンと再結晶化相の構造に対応した複雑なパターンに分かれた。TEMを用いた結晶構造観察では、リングパターンと複雑なパターンでは、YBCOではないcubicまたはpsude-cubicな結晶構造が観測された。同一ガス種でのECR処理では、加速電圧が高い場合にYBCOの再結晶化が見られ、低い場合にcubicまたはpsude-cubicな結晶構造が観測された。作成した改質バリアランプエッジ接合は、明瞭なRSJまたはRCSJ型のI-V特性を示し、IcRn積は4.2Kで1～3mVと高い値を示した。25個の接合を直列に接続した構造のI-V特性から、4.2KでのIcの分布1σは13.5%を得た。また、このI-V特性において、Icの値が2グループに分離した特性が得られたが、これはRHEEDの実験結果から、ランプ斜面が実際に感じるイオン加速電圧が左右の斜面で異なった結果、左右の接合で別のバリア構造が形成されたと解釈することが可能である。 |
| 抄録(英) | We successfully observed RHEED patterns in recrystallization process of interfacemodified barrier by using a-axis oriented YBCO films. ECR ion bombardment was used for making an amorphous layer. RHEED patterns of a typical tri-layered perovskite structure was observed for as-deposited a-axis oriented YBCO films. A halo pattern showing the existence of an amorphous layer was changed to three types of patterns by changing the ECR and annealing conditions. The YBCO surface damaged at the higher ion acceleration voltage showed clear recrystallization to a-axis oriented YBCO after annealing. The surface damaged at lower voltages showed RHEED patterns different from that of a-axis oriented YBCO. In these case, regions with a cubic or a psude-cubic structure were observed at the interface by TEM. YBCO ramp-edge Josephson junctions fabricated under optimum conditions exhibited resistively and capacitively shunted junction (RCSJ)-like I-V curves with a typical IcRn product at 4.2K of 1～3mV. I-V characteristics of a 25JJ series-array at 4.2K showed the Ic spread 1σ was 13.5% for 25 junctions. |
| キーワード(和) | 改質バリア / RHEED / YBCO / アモルファス / cubic / ランプエッジ / ジョセフソン接合 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SCE2000-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2001/1/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 改質バリアの再結晶化過程の観察および改質バリアランプエッジ接合の特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of recrystallization process of interface-modified barrier and the properties of interface-modified ramp-edge junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 改質バリア |
| キーワード(2)（和/英） | RHEED |
| キーワード(3)（和/英） | YBCO |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファス |
| キーワード(5)（和/英） | cubic |
| キーワード(6)（和/英） | ランプエッジ |
| キーワード(7)（和/英） | ジョセフソン接合 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石丸 喜康 / Y. Ishimaru |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 呉 源 / Y. Wu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀部 修身 / O. Horibe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 田野 浩由 / H. Tano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所:千葉工業大学 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC:Chiba Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 聡明 / T. Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所:千葉工業大学 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC:Chiba Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 樽谷 良信 / Y. Tarutani |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 川邊 潮 / U. Kawabe |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 千葉工業大学 Chiba Institute of Technology |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田辺 圭一 / K. Tanabe |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory-ISTEC |
| 発表年月日 | 2001/1/17 |
| 資料番号 | SCE2000-39 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 572 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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