| 講演名 | 2000/10/20 RF磁界変調型SQUIDのスイッチングデバイス応用 近藤 忠之, 水柿 義直, 中島 健介, 山下 努, |
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| 抄録(和) | RF磁界変調型DC SQUID(RFDS)は規格化周波数<1において単接合素子とくらべて大きなRF誘起ステップを発生することができる。RFDSは印加直流磁束が0のときに偶数次、0.5φ_0のときに奇数次のステップのエンハンスされるというステップ次数の選択性を有している。この効果によりRFDSの出力は直流磁束に対して定電圧レベル間をスイッチングすることになる。RFDSはSNS接合で実現できるため高温超伝導体の新しい電圧モードデバイスとして期待できる。最適なRFDSスイッチング特性を得るRF SQUIDループ電流と直流バイアスの条件をシミュレーションによって調べた。 |
| 抄録(英) | We have been studying a RF-Field-modulated(driven)DC SQUID(RFDS)that exhibits RF-induced-current-steps larger than those of single junctions at lower normalized frequency. In RFDS, adjusting DC magnetic field can control the order of generated steps. Even order steps are dominant in the absence of DC magnetic field, which DC magnetic field of a half flux quantum enhances odd order steps dominantly. Due to the remarkable constant voltage steps, RFDS is expected for switching device applications based on high-Tc Josephson junctions. We numerically investigate the switching properties of RFDS for various bias conditions, including RF circulating currents and DC bias current to obtain the optimum switching operation. |
| キーワード(和) | RF誘起ステップ / RF磁束 / SQUID / スイッチングデバイス / 高温超伝導体 / シミュレーション |
| キーワード(英) | RF-induced-step / RF flux / SQUID / switching device / high temperature superconductor / simulation |
| 資料番号 | SCE2000-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2000/10/20(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF磁界変調型SQUIDのスイッチングデバイス応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Switching device application of RF-Field-modulated SQUID |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | RF誘起ステップ / RF-induced-step |
| キーワード(2)（和/英） | RF磁束 / RF flux |
| キーワード(3)（和/英） | SQUID / SQUID |
| キーワード(4)（和/英） | スイッチングデバイス / switching device |
| キーワード(5)（和/英） | 高温超伝導体 / high temperature superconductor |
| キーワード(6)（和/英） | シミュレーション / simulation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 近藤 忠之 / Tadayuki Kondo |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 仙台電波高専 Sendai National College Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水柿 義直 / Yoshinao Mizugaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大通研 RIEC Tohoku University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 中島 健介 / Kensuke Nakajima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大通研 RIEC Tohoku University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山下 努 / Tsutomu Yamashita |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大未来セ NICHe Tohoku University |
| 発表年月日 | 2000/10/20 |
| 資料番号 | SCE2000-32 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 399 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |