| 講演名 | 2000/8/22 SCE2000-12 / MW2000-76 DC反応性スパッタによるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製 川上 彰, 王 鎮, 三木 茂人, |
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| 抄録(和) | THz帯デバイス用材料開発を目的としてNbN/MgO/NbN多層膜のエピタキシャル成長を試み、その特性評価を行った.NbN薄膜はDC反応性スパッタ法により、またMgO薄膜はMgOターゲットを用いたRFスパッタ法によるバッファ層を介して、Mgターゲットを用いたDC反応性スパッタ法により成膜している.NbN/MgO/NbNエピタキシャル多層膜において、MgO膜厚を0～240nm変化させて上部NbN薄膜のT_c, および抵抗率p_<20k>を評価したところ、特性の劣化は見られず全てT_c≒15.7K、p_<20k>≒60μΩcmの良好な結果を示した.またエピタキシャル多層膜で構成したNbN/MgO/NbN SIS接合が、J_c=2.6kA/cm~2, V_g=5.8mV, V_ |
| 抄録(英) | For THz applications, we have developed a process to grow epitaxial NbN/MgO/NbN trilayers using reactive dc-sputtering technique. NbN films were deposited by reactive dc-sputtering using a Nb target. MgO films are also deposited by reactive dc-sputtering using a Mg target. Between the under-NbN layer and the MgO layer, a thin MgO layer (1.3 nm) was deposited by rf-sputtering as a buffer layer. However, MgO inter-layer thickness was changed up to 240 nm, T_c and 20K-resistivity of NbN top-layers (180 nm) showed no remarkable dependency and they were 15.7 K and about 60 μΩcm. NbN/MgO/NbN SIS junction was also fabricated using the epitaxial technique and it showed high current density (J_c=2.6kA/cm~2), large gap voltage (V_g=5.8mV), and small subgap leakage currents V_ |
| キーワード(和) | NbN/MgO/NbN / エピタキシャル / DC反応性スパッタ / Mgターゲット / SIS |
| キーワード(英) | NbN/MgO/NbN / Epitaxial / Reactive DC-sputtering / Mg target / SIS |
| 資料番号 | SCE2000-12,MW2000-76 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2000/8/22(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SCE2000-12 / MW2000-76 DC反応性スパッタによるエピタキシャルNbN/MgO/NbN多層膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | SCE2000-12 / MW2000-76 Epitaxial NbN/MgO/NbN Multilayers using Reactive DC-sputtering Technique |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NbN/MgO/NbN / NbN/MgO/NbN |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル / Epitaxial |
| キーワード(3)（和/英） | DC反応性スパッタ / Reactive DC-sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | Mgターゲット / Mg target |
| キーワード(5)（和/英） | SIS / SIS |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川上 彰 / Akira Kawakami |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所 Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 王 鎮 / Zhen Wang |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 通信総合研究所 Kansai Advanced Research Center, Communications Research Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三木 茂人 / Shigehito Miki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神戸大学 Kobe University |
| 発表年月日 | 2000/8/22 |
| 資料番号 | SCE2000-12,MW2000-76 |
| 巻番号（vol） | vol.100 |
| 号番号（no） | 274 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 8 |
| 発行日 | |