講演名 | 2000/8/22 SCE2000-11 / MW2000-75 MgO単結晶基板の表面処理 石井 幸恵, 座間 秀昭, 森下 忠隆, 山本 寛, |
---|---|
PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
抄録(和) | MgO単結晶は酸化物薄膜成長用基板としてよく用いられているが、表面荒れや不純物の拡散等が表面処理の課題とされてきた。今回我々はMgOの研磨表面から熱処理表面までを原子間力顕微鏡により系統的に検討し、従来よりも低い温度(700℃)の酸素中熱処理により原子層オーダーで平坦かつ不純物拡散のない表面を得ることに成功した。 |
抄録(英) | MgO single crystal has been frequently used as a substrate for oxide film growth. It is difficult to obtain its surface treatment free from surface roughening and the diffusion of impurity. By investigating as-polished and annealed surface of MgO by an atomic force microscope, we realized an atomical flat surface without the diffusion of impurity at a lower annealing temperature, 700℃, under oxygen atmosphere. |
キーワード(和) | MgO / 酸素中熱処理 / 原子間力顕微鏡(AFM) / 原子層平坦面 |
キーワード(英) | MgO / oxygen annealing / atomic force microscope(AFM) / atomical flat surface |
資料番号 | SCE2000-11,MW2000-75 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SCE |
---|---|
開催期間 | 2000/8/22(から1日開催) |
開催地(和) | |
開催地(英) | |
テーマ(和) | |
テーマ(英) | |
委員長氏名(和) | |
委員長氏名(英) | |
副委員長氏名(和) | |
副委員長氏名(英) | |
幹事氏名(和) | |
幹事氏名(英) | |
幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
---|---|
本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | SCE2000-11 / MW2000-75 MgO単結晶基板の表面処理 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Surface Treatment of MgO Single-Crystal Substrate. |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | MgO / MgO |
キーワード(2)(和/英) | 酸素中熱処理 / oxygen annealing |
キーワード(3)(和/英) | 原子間力顕微鏡(AFM) / atomic force microscope(AFM) |
キーワード(4)(和/英) | 原子層平坦面 / atomical flat surface |
第 1 著者 氏名(和/英) | 石井 幸恵 / Yukie ISHII |
第 1 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 座間 秀昭 / Hideaki ZAMA |
第 2 著者 所属(和/英) | (財)国際超電導産業技術センター 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory, International Superconductivity Technology Center |
第 3 著者 氏名(和/英) | 森下 忠隆 / Tadataka MORISHITA |
第 3 著者 所属(和/英) | (財)国際超電導産業技術センター 超電導工学研究所 Superconductivity Research Laboratory, International Superconductivity Technology Center |
第 4 著者 氏名(和/英) | 山本 寛 / Hiroshi YAMAMOTO |
第 4 著者 所属(和/英) | 日本大学理工学部 College of Science and Technology, Nihon University |
発表年月日 | 2000/8/22 |
資料番号 | SCE2000-11,MW2000-75 |
巻番号(vol) | vol.100 |
号番号(no) | 274 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 5 |
発行日 |