| 講演名 | 2000/1/26 YBCO薄膜上のGaAs光スイッチの作製とテラヘルツ電磁波励起 紀和 利彦, 中山 浩一, 斗内 政吉, 萩行 正憲, |
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| 抄録(和) | 低温成長GaAs(LT-GaAs)薄膜をMgO基板上あるいは、高温超伝導体YBa_2Cu_3O_<7-δ>薄膜上にレーザー蒸着法を用いて成長し、時間分解反射率測定及び、LT-GaAs薄膜で作成した光伝導スイッチの放射特性により、その光応答を評価した。その結果、室温成長薄膜においても、光励起キャリア寿命は、1ps以下であり、1THz以上の周波数成分を含む電磁波が励起可能であることを見出した。また、積層化による超伝導性への大きな影響は認められなかった。 |
| 抄録(英) | Low temperature grown GaAs(LT-GaAs) thin films were fabricated on MgO substrates and YBa_2Cu_3O_<7-δ> thin films using by pulsed laser deposition (PLD). We examined the optical properties of LT-GaAs films by the time domain reflectivity change method and the properties of LT-GaAs photoconductive switches by terahertz beam excitation. These results suggest that LT-GaAs thin films fabricated by PLD are one of the attractive materials for opto-electronic devices, combining with high T_c superconductors. |
| キーワード(和) | LT-GaAs / YBCO / レーザー蒸着法 / 光デバイス / THz電磁波 / 時間分解反射率測定 |
| キーワード(英) | LT-GaAs / YBCO / PLD / Optical devices / THz radiation / Time domain reflectivity change |
| 資料番号 | SCE99-42 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 2000/1/26(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | YBCO薄膜上のGaAs光スイッチの作製とテラヘルツ電磁波励起 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of a GaAs/YBCO layered structure and its optical response |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | LT-GaAs / LT-GaAs |
| キーワード(2)（和/英） | YBCO / YBCO |
| キーワード(3)（和/英） | レーザー蒸着法 / PLD |
| キーワード(4)（和/英） | 光デバイス / Optical devices |
| キーワード(5)（和/英） | THz電磁波 / THz radiation |
| キーワード(6)（和/英） | 時間分解反射率測定 / Time domain reflectivity change |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 紀和 利彦 / Toshihiko Kiwa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター Research Center for Superconducting Materials and Electronics, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 浩一 / Kouichi Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター Research Center for Superconducting Materials and Electronics, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 斗内 政吉 / Masayoshi Tonouchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター : 科技団戦略 Research Center for Superconducting Materials and Electronics, Osaka University : CREST/JST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 萩行 正憲 / Masanori Hangyo |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学超伝導エレクトロニクス研究センター Research Center for Superconducting Materials and Electronics, Osaka University |
| 発表年月日 | 2000/1/26 |
| 資料番号 | SCE99-42 |
| 巻番号（vol） | vol.99 |
| 号番号（no） | 586 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |