講演名 2000/1/26
Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
佐藤 信好, 齋藤 敦, 川上 彰, 王 鎮, 田中 未知, 田原 修一, 濱崎 勝義,
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抄録(和) Nb/Al-AlO_x/Nb、及びNb/constrictions/Nb接合の1/fノイズをバイアス電圧の関数として測定した。これらの超伝導弱結合素子の1/fノイズレベルは、デバイス品質パラメータQ値に強く依存していた。また、BTK理論を用いて、QとA(E)の関係を計算した。この単Andreev反射モデルの範囲内で弱結合素子は、ほぼη∝A(E)(1-A(E))のスケーリング則に従う低1/fノイズ特性を示した。
抄録(英) We have measured the 1/f noise in Nb/Al-AlO_x/Nb and Nb/constrictions/Nb junctions as a function of bias voltage. The 1/f noise parameter η of these superconducting weak link devices strongly depends on the device quality factor Q. Using the Blonder, Tinkham and Klapwijk (BTK) theory we give a simple relationship between the Q value and the Andreev reflection probability A(E). Within the framework of this single-Andreev reflection model, we found that the weak link devices exhibit low 1/f noise with a parameter η that scales approximately as η∝A(E)(1-A(E)).
キーワード(和) 1/fノイズ / 超伝導弱結合素子 / Andreev反射確率
キーワード(英) 1/f noise / superconducting weak link device / Andreev reflection probability
資料番号 SCE99-39
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 2000/1/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) 1/f noise properties in Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nb devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 1/fノイズ / 1/f noise
キーワード(2)(和/英) 超伝導弱結合素子 / superconducting weak link device
キーワード(3)(和/英) Andreev反射確率 / Andreev reflection probability
第 1 著者 氏名(和/英) 佐藤 信好 / N. Sato
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学・工学部・電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 齋藤 敦 / A. Saito
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学・工学部・電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 川上 彰 / A. Kawakami
第 3 著者 所属(和/英) 通信総合研究所関西支所 超電導研究室
KARC Communications Research Laboratory
第 4 著者 氏名(和/英) 王 鎮 / Z. Wang
第 4 著者 所属(和/英) 通信総合研究所関西支所 超電導研究室
KARC Communications Research Laboratory
第 5 著者 氏名(和/英) 田中 未知 / M. Tanaka
第 5 著者 所属(和/英) NEC基礎研究所
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 田原 修一 / S. Tahara
第 6 著者 所属(和/英) NEC基礎研究所
Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation
第 7 著者 氏名(和/英) 濱崎 勝義 / K. Hamasaki
第 7 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学・工学部・電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
発表年月日 2000/1/26
資料番号 SCE99-39
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 586
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日