講演名 | 2000/1/26 Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性 佐藤 信好, 齋藤 敦, 川上 彰, 王 鎮, 田中 未知, 田原 修一, 濱崎 勝義, |
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抄録(和) | Nb/Al-AlO_x/Nb、及びNb/constrictions/Nb接合の1/fノイズをバイアス電圧の関数として測定した。これらの超伝導弱結合素子の1/fノイズレベルは、デバイス品質パラメータQ値に強く依存していた。また、BTK理論を用いて、QとA(E)の関係を計算した。この単Andreev反射モデルの範囲内で弱結合素子は、ほぼη∝A(E)(1-A(E))のスケーリング則に従う低1/fノイズ特性を示した。 |
抄録(英) | We have measured the 1/f noise in Nb/Al-AlO_x/Nb and Nb/constrictions/Nb junctions as a function of bias voltage. The 1/f noise parameter η of these superconducting weak link devices strongly depends on the device quality factor Q. Using the Blonder, Tinkham and Klapwijk (BTK) theory we give a simple relationship between the Q value and the Andreev reflection probability A(E). Within the framework of this single-Andreev reflection model, we found that the weak link devices exhibit low 1/f noise with a parameter η that scales approximately as η∝A(E)(1-A(E)). |
キーワード(和) | 1/fノイズ / 超伝導弱結合素子 / Andreev反射確率 |
キーワード(英) | 1/f noise / superconducting weak link device / Andreev reflection probability |
資料番号 | SCE99-39 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SCE |
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開催期間 | 2000/1/26(から1日開催) |
開催地(和) | |
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幹事補佐氏名(和) | |
幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nbデバイスの1/fノイズ特性 |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | 1/f noise properties in Nb/Al+AlO_x, constrictions/Nb devices |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | 1/fノイズ / 1/f noise |
キーワード(2)(和/英) | 超伝導弱結合素子 / superconducting weak link device |
キーワード(3)(和/英) | Andreev反射確率 / Andreev reflection probability |
第 1 著者 氏名(和/英) | 佐藤 信好 / N. Sato |
第 1 著者 所属(和/英) | 長岡技術科学大学・工学部・電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
第 2 著者 氏名(和/英) | 齋藤 敦 / A. Saito |
第 2 著者 所属(和/英) | 長岡技術科学大学・工学部・電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
第 3 著者 氏名(和/英) | 川上 彰 / A. Kawakami |
第 3 著者 所属(和/英) | 通信総合研究所関西支所 超電導研究室 KARC Communications Research Laboratory |
第 4 著者 氏名(和/英) | 王 鎮 / Z. Wang |
第 4 著者 所属(和/英) | 通信総合研究所関西支所 超電導研究室 KARC Communications Research Laboratory |
第 5 著者 氏名(和/英) | 田中 未知 / M. Tanaka |
第 5 著者 所属(和/英) | NEC基礎研究所 Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
第 6 著者 氏名(和/英) | 田原 修一 / S. Tahara |
第 6 著者 所属(和/英) | NEC基礎研究所 Fundamental Research Laboratories, NEC Corporation |
第 7 著者 氏名(和/英) | 濱崎 勝義 / K. Hamasaki |
第 7 著者 所属(和/英) | 長岡技術科学大学・工学部・電気系 Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology |
発表年月日 | 2000/1/26 |
資料番号 | SCE99-39 |
巻番号(vol) | vol.99 |
号番号(no) | 586 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |