講演名 1999/7/30
誘導結合プラズマスパッタリング法で作製したYBa_2Cu_3O_y薄膜のマイクロ波特性の評価
鈴木 敏幸, 楠 正暢, 向田 昌志, 大嶋 重利,
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抄録(和) 誘導結合プラズマスパッタリング法を用いて作製したYBa_2Cu_3O_y (YBCO)薄膜のマイクロ波領域での表面抵抗をサファイアロッドを用いた誘電体共振器法により評価した。YBCO薄膜をLaAlO_3(LAO)基板の両面とBaSnO_3バツファー層を用いたMgO基板上に作製した。LAO基板上両面薄膜の表面抵抗は第2面の方が優れていたが, これは第2面目成膜時の実効的な基板温度が上昇したためであると考えられる。BSO/MgO上薄膜の表面抵抗は測定周波数22GHzにおいて35Kで0.38mΩ、77Kで1.13mΩとなり、これをf^2則に従って10GHzに換算すると35Kで0.08mΩ、77Kで0.23mΩであった。
抄録(英) Microwave surface resistance (Rs) of YBa_2Cu_3O_y (YBCO) thin film prepared by inductive coupled plasma sputtering (ICP) was investigated. The Rs was measured by the dielectric resonator method at 22 GHz. The film was deposited on both side of the LaAlO_3 (LAD) substrate. The Rs of the back side film was lower than first side. It indicates that effective substrate temperature during the secound deposition was higher than that of first deposition. The YBCO was deposited also on the BaSnO_3/MgO substrate. The Rs values of the film was 0.38 mΩ at 35 K and 1.13 mΩ at 77 K. The Rs values scaled to 10 GHz were 0.08 mΩ at 35 K and 0.23 mΩ at 77 K, respectively.
キーワード(和) 誘導結合プラズマスパッタリング / YBa_2Cu_3O_y / LaAlO_3 / BaSnO_3 / R_s
キーワード(英) inductive coupled plasma sputtering / YBa_2Cu_3O_y / LaAlO_3 / BaSnO_3 / Rs
資料番号 SCE99-16
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1999/7/30(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 誘導結合プラズマスパッタリング法で作製したYBa_2Cu_3O_y薄膜のマイクロ波特性の評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluation of surface resistance of YBCO thin film made by inductive coupled plasma sputtering.
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 誘導結合プラズマスパッタリング / inductive coupled plasma sputtering
キーワード(2)(和/英) YBa_2Cu_3O_y / YBa_2Cu_3O_y
キーワード(3)(和/英) LaAlO_3 / LaAlO_3
キーワード(4)(和/英) BaSnO_3 / BaSnO_3
キーワード(5)(和/英) R_s / Rs
第 1 著者 氏名(和/英) 鈴木 敏幸 / Toshiyuki Suzuki
第 1 著者 所属(和/英) 山形大学工学部
Faculty of Engineering , Yamagata University
第 2 著者 氏名(和/英) 楠 正暢 / Masanobu Kusunoki
第 2 著者 所属(和/英) 山形大学工学部
Faculty of Engineering , Yamagata University
第 3 著者 氏名(和/英) 向田 昌志 / Masashi Mukaida
第 3 著者 所属(和/英) 山形大学工学部
Faculty of Engineering , Yamagata University
第 4 著者 氏名(和/英) 大嶋 重利 / Shigetoshi Ohshima
第 4 著者 所属(和/英) 山形大学工学部
Faculty of Engineering , Yamagata University
発表年月日 1999/7/30
資料番号 SCE99-16
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 249
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日