講演名 1999/7/30
CeO_2バッファ層を用いたサファイア基板上のPrBa_2Cu_3O_7薄膜の作製と評価
若菜 裕紀, 橋本 健男, 菊地 新司, 道上 修,
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抄録(和) 膜厚50ÅのCeO_2バッファを用いたサファイア基板上にPrBa_2Cu_3O_7(PBCO)テンプレート層を導入し、a-, b-軸配向EuBa_2Cu_3O_<7-δ>(EBCO)薄膜の高T_c化を行った。成膜速度(R_d)の増加に伴いPBCO薄膜は、c軸配向からa軸配向に移行する傾向を示した。7Pa (Ar+20%O_2)及びT_s=620℃条件の下では、R_d≧30Å/minでa軸配向薄膜が得られた。7Pa (Ar+20%O_2)及びR_d=35Å/minの条件の下では、T_s=560~630℃でa軸配向PBCO薄膜が成長した。a-, b-軸配向EBCOの基板温度は、700Å以上のa軸配向PBCO上では、CeO_2(001)上より、約30℃上昇した。1000ÅのPBCO上に、7Pa (Ar+20%O_2)及びT_s=650℃の条件で、スパッタした2000Åのa-, b-軸配向EBCO薄膜は、86.7KのT_を示した。
抄録(英) The improvement on the superconducting properties of a- or b-axis oriented EuBa_2Cu_3O_<7-δ> (EBCO) films grown on the R-plane sapphire substrates with CeO_2 buffer layers was carried out by introducing a template layer of PrBa_2Cu_3O_7(PBCO). As the deposition rate increased, the c-axis oriented PBCO layers exhibited a tendency to change into the a-axis ones. The a-axis oriented PBCO layers were grown at R_d's above 30Å/min and T_s's of 560 -630℃. The PBCO template layers were prepared at T_s=620℃ and R_d=35Å/min. The maximum substrate temperature of a-axis oriented EBCO films grown on the a-axis oriented PBCO template layers of thicknesses above 700Å was about 30℃ higher than that on CeO_2(001) substrates. The EBCO films with a- and b-axis orientation were deposited on R-sapphire\CeO_2(001) with a-axis oriented PBCO template layers 1000Å thick at T_s=650℃ and had T_'s of about 86.7 K.
キーワード(和) EBCO薄膜 / PBCOテンプレート層 / サファイア基板 / CeO_2バッファ層
キーワード(英) EBCO thin film / PBCO template layer / sapphire substrate / CeO_2 buffer layer
資料番号 SCE99-14
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1999/7/30(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) CeO_2バッファ層を用いたサファイア基板上のPrBa_2Cu_3O_7薄膜の作製と評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Preparation and Evaluation of PrBa_2Cu_3O_7 Template Layers Grown on Sapphire Substrates with CeO_2 Buffer Layers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) EBCO薄膜 / EBCO thin film
キーワード(2)(和/英) PBCOテンプレート層 / PBCO template layer
キーワード(3)(和/英) サファイア基板 / sapphire substrate
キーワード(4)(和/英) CeO_2バッファ層 / CeO_2 buffer layer
第 1 著者 氏名(和/英) 若菜 裕紀 / Hironori WAKANA
第 1 著者 所属(和/英) 岩手大学 工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 2 著者 氏名(和/英) 橋本 健男 / Takeo HASHIMOTO
第 2 著者 所属(和/英) 岩手大学 工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 3 著者 氏名(和/英) 菊地 新司 / Shinji KIKUCHI
第 3 著者 所属(和/英) 岩手大学 工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
第 4 著者 氏名(和/英) 道上 修 / Osamu MICHIKAMI
第 4 著者 所属(和/英) 岩手大学 工学部
Faculty of Engineering, Iwate University
発表年月日 1999/7/30
資料番号 SCE99-14
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 249
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日