講演名 1999/4/23
MgOおよびBMT基板の複素誘電率の低温特性のマイクロ波測定
橋本 経, 上條 智史, 板本 裕光, 小林 禧夫,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 本研究では、空洞共振器法により、高温超電導薄膜用MgO単結晶基板およびBa(Mg, L, Sb)O_3セラミック基板についてそれらの複素誘電率(比誘電率ε_s, 誘電正接tanδ_s)の低温測定結果を提供する。常温測定では、14~16GHzにおけるMgO基板のε_s=9.85で測定精度は約0.2%、tanδ_s=7.8×10^<-6>で測定精度は約6.4%である。さらに、100K以下では14GHz付近でε_s=9.6~9.7、tanδ_s<1.0×10^<-6>である。同一ロットの基板ではε_sとtanδ_sのばらつきが小さく、その他の基板ではばらつきが大きい。したがって、マイクロストリップ形フィルタなどの設計を行う際は、その都度、複素誘電率の測定をする必要がある。100K以下における6枚のBMT基板の測定結果は、ε_s=24.0~24.4、tanδ_s=(1~10)×10^<-6>でばらついている。
抄録(英) This paper presents measured results of low-temperature dependence of the complex permittivity (ε_s, tanδ_s) of MgO and Ba (Mg, Ta, Sb) O_3 ceramic substrates for High-T_c superconductibe thin films by using a circular cavity resonance method. At the room-temperture, the results of MgO substrates measured at 14~16GHz are ε_s=9.85 within the precision 0.2% and tanδ_s=7.8×10^<-6> within the precision 6.4%. Moreover, the measured results below 100K about 14GHz are ε_s=9.6~9.7 and tanδ_s<1.0×10^<-6>. Many MgO substrates in a lot have almost the same values of ε_s and tanδ_s, but the plates in the different lot have different ε_s and tanδ_s. When we design the microstrip filters, it is necessary to measure the complex permittivity for each substrate. The results of BMT substrates measured below 100K are scattered between ε_s=24.0~24.4 and tanδ_s=(1~10)×10^<-6>.
キーワード(和) 高温超電導薄膜 / 複素誘電率
キーワード(英) High-Temperature Superconductive thin films / complex permittivity
資料番号 SCE99-5
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1999/4/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MgOおよびBMT基板の複素誘電率の低温特性のマイクロ波測定
サブタイトル(和)
タイトル(英) Microwave measurements of Low-Temperature dependences of complex permittivity of MgO and BMT substrates.
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高温超電導薄膜 / High-Temperature Superconductive thin films
キーワード(2)(和/英) 複素誘電率 / complex permittivity
第 1 著者 氏名(和/英) 橋本 経 / Toru Hashimoto
第 1 著者 所属(和/英) 埼玉大学工学部
Faculty of Engineering, Saitama University
第 2 著者 氏名(和/英) 上條 智史 / Satoshi Kamijyou
第 2 著者 所属(和/英) 埼玉大学工学部
Faculty of Engineering, Saitama University
第 3 著者 氏名(和/英) 板本 裕光 / Hiromitsu Itamoto
第 3 著者 所属(和/英) 埼玉大学工学部
Faculty of Engineering, Saitama University
第 4 著者 氏名(和/英) 小林 禧夫 / Yoshio Kobayashi
第 4 著者 所属(和/英) 埼玉大学工学部
Faculty of Engineering, Saitama University
発表年月日 1999/4/23
資料番号 SCE99-5
巻番号(vol) vol.99
号番号(no) 28
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日