| 講演名 | 1994/10/5 バリア層の薄いYBCO/PBCO/YBCO接合の電気特性 橋本 龍典, 長野 利彦, 吉田 二朗, |
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| 抄録(和) | 高性能で高品質な積層型全酸化物ジョセフソン接合を目指して、TBCO, PBCO/YBCO接合の電気特性を詳細に調べている。ここではPBCOバリア層が25nm以下と薄い場合を調べた。その結果、PBCO20nmの場合には余剰電流のないジョセフソン特性が得られ、4.2KにおけるIcRn積は165μVであった。PBCOの厚さが10nmになると大きな余剰電流が観測され、ジョセフソン特性とフラックスフロー特性が加え合わさった特性が観測された。余剰電流の有無は接合の大きさと関連し、小面積になると急激に余剰電流が小さくなり、10nm程度のPBCOバリア層の接合では膜のモーホロジーが接合特性を決めていることが分かった。 |
| 抄録(英) | a-axis oriented YBCO, PBCO/YBCO junctions have been studied to realize a high-quality all-oxide Josephson junction in a sandwich geometry.In this reports,electric properties of the junctions with thinner PBCO barriers are shown.For 20 nm-PCBO-bariier juncitons, the observed I-V curves did not include an excess current.And the IcRn-value was 165μV at 4.2 K.However,a large excess cuurent was o bserved for 10 nm-PBCO junctions.The excess current depended on the junction area,and this current rapidly decreased as the area decreased.It was concluded that this characteristic was limited by the morphology of the prepared trilayer. |
| キーワード(和) | 酸化物超伝導体 / ジョセフソン接合 / YBCO / PBCO |
| キーワード(英) | oxide superconductor / Josephson junction / YBCO / PBCO |
| 資料番号 | SCE94-30 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1994/10/5(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バリア層の薄いYBCO/PBCO/YBCO接合の電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric Properties of YBCO/PBCO/YBCO Junctions with Thin Barrier Layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物超伝導体 / oxide superconductor |
| キーワード(2)（和/英） | ジョセフソン接合 / Josephson junction |
| キーワード(3)（和/英） | YBCO / YBCO |
| キーワード(4)（和/英） | PBCO / PBCO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 橋本 龍典 / Tatsunori Hashimoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター基礎研究所 Advanced Research Laboratory,R&D Center,Toshiba |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長野 利彦 / Toshihiko Nagano |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター基礎研究所 Advanced Research Laboratory,R&D Center,Toshiba |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 二朗 / Jiro Yoshida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東芝研究開発センター基礎研究所 Advanced Research Laboratory,R&D Center,Toshiba |
| 発表年月日 | 1994/10/5 |
| 資料番号 | SCE94-30 |
| 巻番号（vol） | vol.94 |
| 号番号（no） | 265 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |