| 講演名 | 1998/11/16 バイクリスタル接合を用いた高温超伝導SQUIDの雑音特性 美濃谷 直志, 白石 史遠, 香取 篤史, 円福 敬二, |
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| 抄録(和) | バイクリスタル接合を用いてSQUIDを製作し、その雑音特性について調べた。まず、バイクリスタル接合の傾角を変えた場合の接合特性の変化を調べ、接合の電流輸送の機構を議論した。次に、傾角30度の接合を用いてSQUIDを製作し、SQUIDの変調電圧については測定値とシミュレーション結果には良い一致が得られることを示した。これに対して、磁束ノイズの白色成分については測定値はシミュレーション結果の2-3倍大きくなった。この雑音の増加を接合品質の観点から議論した。また1/fノイズから臨界電流の揺らぎを求め、接合の臨界電流とコンダクタンスとの相関を調べた。 |
| 抄録(英) | Properties of high T_c SQUID utilizing bicrystal junction are studied. First, transport mechanism in the bicrystal junction is studied from the dependence of junction parameters on the misorientation angle of the bicrystal substrate. Next, properties of the SQUID made with the 30 degree junctions are quantitatively compared with the simulation results. Good agreement is obtained on the voltage modulation depth, while the measured flux noise is about 2 or 3 times higher compared with the simulation result. The reason for the large noise is discussed from the point of junction quality. The critical current fluctuation of the junction is also estimated from the 1/f flux noise, and its dependence on the junction parameters, such as critical current and resistance, is studied. |
| キーワード(和) | 高温超伝導SQUID / 傾角30度バイクリスタル基板 / 磁束ノイズ / 1/fノイズ |
| キーワード(英) | High T_c SQUID / 30-degree bicrystal junction / flux noise / 1/f noise |
| 資料番号 | SCE98-28 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1998/11/16(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バイクリスタル接合を用いた高温超伝導SQUIDの雑音特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Noise Properties of High T_c SQUID Fabricated with Bicrystal Junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高温超伝導SQUID / High T_c SQUID |
| キーワード(2)（和/英） | 傾角30度バイクリスタル基板 / 30-degree bicrystal junction |
| キーワード(3)（和/英） | 磁束ノイズ / flux noise |
| キーワード(4)（和/英） | 1/fノイズ / 1/f noise |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 美濃谷 直志 / Tadashi Minotani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学研究科電子デバイス専攻 Department of Electronic Device Engineering, ISEE, Kyushu University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 白石 史遠 / Fumio Shiraishi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学研究科電子デバイス専攻 Department of Electronic Device Engineering, ISEE, Kyushu University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 香取 篤史 / Atsushi Kandori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学研究科電子デバイス専攻 Department of Electronic Device Engineering, ISEE, Kyushu University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 円福 敬二 / Keiji Enpuku |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州大学システム情報科学研究科電子デバイス専攻 Department of Electronic Device Engineering, ISEE, Kyushu University |
| 発表年月日 | 1998/11/16 |
| 資料番号 | SCE98-28 |
| 巻番号（vol） | vol.98 |
| 号番号（no） | 399 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |