講演名 1998/4/22
MgO基板上への高温超伝導ランプ型接合の作製とミリ波・サブミリ波特性
明連 広昭, 陳 健, L Amatuni, A.H Sonnenberg, G.J Gerristima, H Rogalla, 山下 努,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) 我々はSrTiO_3(STO)バッファ層を用いてMgO基板上に高温超伝導ランプ型接合の作製に成功し、これらの接合のミリ波・サブミリ波領域における特性を測定した。STOバッファ層を用いることによりMgO基板上にSTO基板上の接合作製時と同じ作製条件で薄膜を堆積でき、その結果PrBa_2Cu_<3-χ>GaχO<7-δ>(PBCGO)バリア層とYBa_2Cu_3O<7-δ>(YBCO)上部電極の品質がMgOに直接堆積した場合に比較して向上した。接合は、ミリ波(100GHz)とサブミリ波(0.762THz)の信号照射に対して明瞭なシャピロステップを示した。また、17KにおいてSTOバッファ層をもうけたMgO基板上のランプ型接合のジョセフソン発振(50GHz)を観測した。測定された発振強度と発振線幅の値はは低温金属系の接合で得られる値と同程度であった。さらに、ミリ波とサブミリ波における自己発振を局部発振源としたジョセフソン自己発振ミキシングを確認した。
抄録(英) We have successfully fabricated ramp-type junctions on MgO substrates using an SrTiO_3(STO) buffer layer and we have studied the mm-and sub-mm-wave range properties of these junctions. Using STO buffer layers, we couled deposit the films with standard deposition conditions for the junctions on STO substrates and the quality of the PrBa_2Cu_<3-χ>Ga_χO_<7-δ>(PBCGO) barrier and YBa_2Cu_3O_<7-δ>(YBCO) counterelectrode was improved compared to those deposited on bare MgO with low-depositon temperature. The junctions clearly showed Shapiro steps under irradiation of mm-wave(100GHz) and sub-mm-wave(0.762THz). We observed Josephson emission at 50GHz from a junction on a STO buffered MgO substrate at 17K. Measured values of spectral characteristics-maximum emitted power and line-width-were similar to these for classical junctions made from low temperature superconductors. We have also confirmed mixing in the self-oscillating mode using mm-wave(100GHz) and sub-mm-wave(0.762THz) signals.
キーワード(和) 高温超伝導ランプ型接合 / MgO基板 / STOバッファ層 / ミリ波・サブミリ波特性
キーワード(英) High-Tc ramp-type junctions / MgO / STO buffer layers / mm-and sub-mm-wave properties
資料番号
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1998/4/22(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) MgO基板上への高温超伝導ランプ型接合の作製とミリ波・サブミリ波特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication and mm-and sub-mm-wave Properties of High-Tc Ramp-type Josephson Junction, on MgO
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 高温超伝導ランプ型接合 / High-Tc ramp-type junctions
キーワード(2)(和/英) MgO基板 / MgO
キーワード(3)(和/英) STOバッファ層 / STO buffer layers
キーワード(4)(和/英) ミリ波・サブミリ波特性 / mm-and sub-mm-wave properties
第 1 著者 氏名(和/英) 明連 広昭 / H Myoren
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所, 科学技術振興事業団
RIEC, Tohoku University, JST, CREST
第 2 著者 氏名(和/英) 陳 健 / J Chen
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所, 科学技術振興事業団
RIEC, Tohoku University, JST, CREST
第 3 著者 氏名(和/英) L Amatuni / Amatuni L
第 3 著者 所属(和/英) Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
RIEC, Tohoku University, JST, CREST
第 4 著者 氏名(和/英) A.H Sonnenberg / Sonnenberg A.H
第 4 著者 所属(和/英) Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
第 5 著者 氏名(和/英) G.J Gerristima / Gerristima G.J
第 5 著者 所属(和/英) Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
第 6 著者 氏名(和/英) H Rogalla / Rogalla H
第 6 著者 所属(和/英) Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
Low Temperature Division, Faculty of Applied Physics, University of Twente
第 7 著者 氏名(和/英) 山下 努 / T Yamashita
第 7 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所, 科学技術振興事業団
RIEC, Tohoku University, JST, CREST
発表年月日 1998/4/22
資料番号
巻番号(vol) vol.98
号番号(no) 14
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日