| 講演名 | 1993/12/8 積層ジョセフソン接合の磁場依存性と同時スイッチ 山森 弘毅, 藤巻 朗, 高井 吉明, 早川 尚夫, |
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| 抄録(和) | 縦にジョセフソン接合を積層させた2重接合を中間層Nb電極の膜厚を4,8,14,20,40nmと変えて作製し上下の2つの接合間の同時スイッチについて調べた。そして、単独接合の直列に観測される通常の同時スイッチとは必ずしも同じでない同時スイッチが中間層が4nm,8nmと薄い場合のみに観測された。どのような条件が満たされるときこの同時スイッチが観測されるのかを臨界電流の磁場依存性によって調べた。 |
| 抄録(英) | We have fabricated the vertically stacked Josephson junctions with different thicknesses (4,8,14,20,40nm)for the intermediate Nb layer.In the double junction,the simultaneous switching between the lower and the upper junction is observed.Though a simultaneous switching is also observed in the series-connected Josephson junction,some differences only in the double junction with thin intermediate Nb layers such as 4nm or 8nm are observed.We have investigated the condition of this by the magnetic field dependence of the critical currents. |
| キーワード(和) | 2重接合 / 同時スイッチ / ジョセフソン侵入長 |
| キーワード(英) | double junctions / simultaneous switching / Josephson penetration length |
| 資料番号 | SCE93-54 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1993/12/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 積層ジョセフソン接合の磁場依存性と同時スイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A magnetic field dependence and a simultaneous switching in vertically stacked Josephson junctions. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 2重接合 / double junctions |
| キーワード(2)（和/英） | 同時スイッチ / simultaneous switching |
| キーワード(3)（和/英） | ジョセフソン侵入長 / Josephson penetration length |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山森 弘毅 / Hirotake Yamamori |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤巻 朗 / Akira Fujimaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高井 吉明 / Yoshiaki Takai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 早川 尚夫 / Hisao Hayakawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 発表年月日 | 1993/12/8 |
| 資料番号 | SCE93-54 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 363 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |