講演名 1993/12/8
酸化物三端子素子の接合特性の解析(2)
川崎 良道, 山田 朋幸, 阿部 仁志,
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抄録(和) 前回、In, (Ba,Rb)BiO_3/Nb doped SrTiO_3三端子素子のIn/(Ba,Rb)BiO_3及び(Ba,Rb)BiO_3/Nb doped SrTiO_3接合の交流特性を測定し、等価回路を用いて評価した。この結果を用い特にシリーズ抵抗に関して解析を行った。さらに最大有能利得(Maximum Available Power Gain)を用いて三端子素子としての特性を評価した。また現在の素子をより高い周波数で動作させるための対策について検討した。
抄録(英) We reported the AC characteristics of In, (Ba,Rb)BiO_3 and(Ba,Rb) BiO_3/Nb doped SrTiO_3 junctions.We proposed the equivalent circuit of these junctions.From these results we analyze these junction especially series resistance.We calculate the maximum available power gain of this device.The improvement of this transistor for higher frequency operation was discussed.
キーワード(和) In/(Ba,Rb)BiO_3/Nb doped SrTiO_3三端子素子 / 交流特性 / 最大有能利 得
キーワード(英) In/Ba,Rb)BiO_3/b doped SrTiO_3 transistor / AC characteristics / Maximum available power gain
資料番号 SCE93-51
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1993/12/8(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 酸化物三端子素子の接合特性の解析(2)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A study of the junction characteristics of oxide 3-terminal device(2)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) In/(Ba,Rb)BiO_3/Nb doped SrTiO_3三端子素子 / In/Ba,Rb)BiO_3/b doped SrTiO_3 transistor
キーワード(2)(和/英) 交流特性 / AC characteristics
キーワード(3)(和/英) 最大有能利 得 / Maximum available power gain
第 1 著者 氏名(和/英) 川崎 良道 / Ryodo Kawasaki
第 1 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)
Oki Electric Industry Co.,Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 山田 朋幸 / Tomoyuki Yamada
第 2 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)
Oki Electric Industry Co.,Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 阿部 仁志 / Hitoshi A
第 3 著者 所属(和/英) 沖電気工業(株)
Oki Electric Industry Co.,Ltd.
発表年月日 1993/12/8
資料番号 SCE93-51
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 363
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日