| 講演名 | 1993/12/8 GdBa_2Cu_3O_x/Gd_2CuO_4/GdBa_2Cu_3O_x積層膜の作製 福田 正博, 井上 真澄, 高井 吉明, 早川 尚夫, |
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| 抄録(和) | 我々は、超伝導材料および絶縁材料として同一構成元素からなるGdBa_2Cu_3O_x(以下GBCO)およびGd_2CuO_4(以下GCO)をそれぞれ選択し、電子ビーム共蒸着法を用いてSIS接合を作製し、GBCO, GCO/GBCO積層膜の特性評価を行った。その実験から、4.2Kにおいて2Δ～20mVの超伝導ギャップを示すと思われるコンダクタンスピークが見られた。また、ゼロバイアスコンダクタンスピークが観測され、高バイアスではコンダクタンスが電圧に比例するという結果を得た。 |
| 抄録(英) | We have chosen compounds with the same elements for a superconductor and an insulator of SIS junctions,i.e.,GdBa_2Cu_3O_ x (GBCO)and Gd_2CuO_4(GCO),respectively.Using these materials,we fabricated SIS junctions by the electron beam co-evaporation method,and investigated the properties of GBCO, GCO/GBCO trilayers. Their current-voltage characteristics showed conductance peaks, which seemed to be energy gap structures(2Δ～20mV),at 4.2K.The zer o bias conductance peak was observed and the conductance was proportional to the voltage in the high bias region. |
| キーワード(和) | GdBa_2Cu_3O_x / Gd_2CuO_4 / 超伝導ギャップ / ゼロバイアスコンダクタンスピーク |
| キーワード(英) | GdBa_2Cu_3O_x / Gd_2CuO_4 / electron beam evaporation / energy gap structure / zero bias conductance peak |
| 資料番号 | SCE93-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1993/12/8(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GdBa_2Cu_3O_x/Gd_2CuO_4/GdBa_2Cu_3O_x積層膜の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of GdBa_2Cu_3O_x/Gd_2CuO_4/GdBa_2Cu_3O_x trilayers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GdBa_2Cu_3O_x / GdBa_2Cu_3O_x |
| キーワード(2)（和/英） | Gd_2CuO_4 / Gd_2CuO_4 |
| キーワード(3)（和/英） | 超伝導ギャップ / electron beam evaporation |
| キーワード(4)（和/英） | ゼロバイアスコンダクタンスピーク / energy gap structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福田 正博 / Masahiro Fukuta |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部量子工学科 Department of Quantumengineering,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井上 真澄 / Masumi Inoue |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高井 吉明 / Yoshiaki Takai |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 早川 尚夫 / Hisao Hayakawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学部電子工学科 Department of Electronics,Faculty of Engineering,Nagoya University |
| 発表年月日 | 1993/12/8 |
| 資料番号 | SCE93-47 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 363 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |