| 講演名 | 1993/10/20 高誘電性エピタクシャルSrTiO_3薄膜の作製と電気特性 巖淵 守, 芦田 毅, 小林 猛, |
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| 抄録(和) | 高分極特性を示すSrTiO_3をrfマグネトロンスパッタにより(111)Pt, (100)MgO基板上にエピタクシャル成長させた。現在のところ、そのSrTiO_3薄膜は厚さ110nmのものにたいし、室温370ε_0という非常に高い誘電率を示している。そして高電界域においては分極量が概ね10^14>(cm^-2>)に達し、超伝導MISFETのInsulatorや、Si256Mbits DRAM等への応用に向けての大きなステップを得ることができた。さらにCr/STO/Pt構造を用いたI-VおよびC-V特性の測定により、SrTiO_3薄膜のバンドダイアグラムが検討され、その結果空間電荷を含まないバンドモデルの妥当性が結論付けられた。これはSrTiO_3の誘電特性を理解、応用する為に有用するのみならず、超伝導電界効果の解釈にたいへん有意義なものである。 |
| 抄録(英) | Epitaxial SrTiO_3(STO)thin films were grown on(111)Pt, (100)MgO substrate successfully by the rf magnetron sputtering.At present, the dielectric constant of 110-nm-thick STO thin films reached as high as 370ε_0 at room temperature.The polarization of this film r eached the range of 10^14> cm^-2>,which was a significant step toward the application for use for a insulator ofthe superconducting MISFETs and the Si 256 Mbits DRAM.Cr/(100)STO/(111) Pt MIM′structures were prepared and their I-V and C-V properties w ere measured.Taking them into account,some possible band diagram of STO were discussed.Consequently,the band diagram where STO layer included no space-charge was concluded as a much proper one. This result is not only important for better knowledge and application of STO thin films but also essential for the understanding of the superconducting field-effect. |
| キーワード(和) | SrTiO_3 / 高誘電率 / FTIRスペクトル / 整流特性 / ショットキ障壁 / 空間電 荷を含まないバンドモデル |
| キーワード(英) | SrTiO_3 / highlydielectric constant / FTIR spectra / rectifying action / Schottky barrier / space-charge-free band model |
| 資料番号 | SCE93-44 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1993/10/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | 高誘電性エピタクシャルSrTiO_3薄膜の作製と電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth and Characterization of Epitaxial SrTiO_3 Thin Films with Prominent Polarizability |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(2)（和/英） | 高誘電率 / highlydielectric constant |
| キーワード(3)（和/英） | FTIRスペクトル / FTIR spectra |
| キーワード(4)（和/英） | 整流特性 / rectifying action |
| キーワード(5)（和/英） | ショットキ障壁 / Schottky barrier |
| キーワード(6)（和/英） | 空間電 荷を含まないバンドモデル / space-charge-free band model |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 巖淵 守 / Mamoru Iwabuchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 芦田 毅 / Takeshi Ashida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 猛 / Takeshi Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学基礎工学部電気工学科 Department of Electrical Engineering,Faculty of Engineering Science,Osaka University |
| 発表年月日 | 1993/10/20 |
| 資料番号 | SCE93-44 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 279 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |