講演名 1993/10/20
X線検出器用Nb/AlOx/Nbトンネル接合の作製
仲川 博, 赤穂 博司, 青柳 昌宏, 黒沢 格, 高田 進, /, /, / /,
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抄録(和) サブギャップ領域のリーク電流を極めて小さくできるX線検出器用のNb, AlOx/Nb超伝導トンネル接合素子(STJ)の新しい作製プロセスを提案する。Si基板を通してNb電極に電流を流す新しい陽極酸化法をデジタル回路用のSTJ作製プロセスに導入し、接合部周辺やベース電極とその測壁など電気的絶縁を必要とするすべてのNb表面に一括して絶縁酸化膜を形成できる。このプロセスで作製したSTJはサブギャップ領域のトンネル電流を4.2Kから1.2Kまでの温度で測定した結果、トンネル電流の温度依存性はBCS理論から予測される準粒子電流に良く一致した。この新しい作製プロセスでX線検出器用STJのサブギャップ領域のリーク電流を極めて小さくできることが明らかになった。
抄録(英) A new fabrication process is presented to make Nb, AlOx/Nb superconducting tunnel junctions for X-ray detection with little subgap leakage current at low temperatures below 4.2 K.A Nb anodization process,in which the Si substrate was used as an anode to flow the anodizing current,has been adopted to make better electric insulation at the all exposed Nb surfaces including step edges of periphery of tunnel barrier and base electrode.The temperature dependence of the subgap current has been significantly improved and is in good agreement with that predicted by the BCS theory,while junctions made by the conventional process showed a large discrepancy of the temperature dependence.It has been clarified that the present fabrication process makes the subgap leakage current small extremely for X-ray detection.
キーワード(和) X線検出器 / 超伝導トンネル素子 / 陽極酸化法 / サブギャップトンネル電流
キーワード(英) X-Ray detector / Superconducting tunnel junction / anodization / subgap tunnel current
資料番号 SCE93-39
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1993/10/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) X線検出器用Nb/AlOx/Nbトンネル接合の作製
サブタイトル(和)
タイトル(英) Fabrication of Nb/AlOx/Nb tunnel junctions for X-ray detector
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) X線検出器 / X-Ray detector
キーワード(2)(和/英) 超伝導トンネル素子 / Superconducting tunnel junction
キーワード(3)(和/英) 陽極酸化法 / anodization
キーワード(4)(和/英) サブギャップトンネル電流 / subgap tunnel current
第 1 著者 氏名(和/英) 仲川 博 / Hiroshi Nakagawa
第 1 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 2 著者 氏名(和/英) 赤穂 博司 / Hiroshi Akoh
第 2 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 3 著者 氏名(和/英) 青柳 昌宏 / Masahiro Aoyagi
第 3 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 4 著者 氏名(和/英) 黒沢 格 / Itaru Kurosawa
第 4 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 5 著者 氏名(和/英) 高田 進 / Susumu Takada
第 5 著者 所属(和/英) 電子技術総合研究所
Electrotechnical Laboratory
第 6 著者 氏名(和/英) / / Pepe Gianpiero
第 6 著者 所属(和/英) /
Napoli University
第 7 著者 氏名(和/英) / / Luigi Frunzio
第 7 著者 所属(和/英) /
Istituto di Cibernetica del C.N.R
第 8 著者 氏名(和/英) / / / Roberto Cristiano
第 8 著者 所属(和/英) / /
Istituto di Cibernetica del C.N.R
発表年月日 1993/10/20
資料番号 SCE93-39
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 279
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日