| 講演名 | 1993/7/26 高抵抗NbN微小ブリッジ接合における電界効果の観測 陳 暁, 吉川 信行, 菅原 昌敬, |
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| 抄録(和) | 厚さ、幅及び長さがそれぞれ10nm、100nm、100nm～300nm程度の微小NbNブリッジ接合を作製し、接合の電圧電流特性と電界効果を測定した。約100kΩ以上の接合抵抗を持つ試料では、低温において電圧オフセット2mV～12mVを有する非線形な電圧電流特性が現れた。この非線形性は、微小トンネル接合アレイでの単電子トンネル効果によるものと類似している。またブリッジの上に作製したゲート電極にゲート電圧を印加すると、接合コンダクタンスはゲート電界により周期的に変化した。これらのチャージング効果はNbN薄膜の微粒子構造に基づく単電子トンネル効果として理解できる。一次元SET接合アレイモデルによるシミューレシュン結果は実験結果と良く一致した。 |
| 抄録(英) | Submicron NbN bridges whose thickness,width and length are 10nm, 100nm and 100-300nm respectively,have been fabricated,and their conduction properties and electrical field effects are measured. The samples having resistances larger than～100kΩ exhibit nonlinea r I-V characteristics with offset voltage of 2mV～12mV at low tempe ratures which are obviously similar to those of the single- electron charging effect in small tunnel junction arrays.The field effect modulation of the junction conductance is observed by applying a voltage to a gate electrode which is made over the NbN bridge.These charging effects are thought to arise from the granular structure of NbN bridges.The simulation results using one- dimensional SET junction arrays coincide well with experimental results. |
| キーワード(和) | ブリッジ接合 / 単電子トンネル効果 / SET効果 / 電界効果 / NbN接合 |
| キーワード(英) | bridge junction / single-electron-tunneling effect / electrical field effect / NbN junction |
| 資料番号 | SCE93-27 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1993/7/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高抵抗NbN微小ブリッジ接合における電界効果の観測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of Electrical Field Effects in Highly Resistive Submicron NbN Bridges |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ブリッジ接合 / bridge junction |
| キーワード(2)（和/英） | 単電子トンネル効果 / single-electron-tunneling effect |
| キーワード(3)（和/英） | SET効果 / electrical field effect |
| キーワード(4)（和/英） | 電界効果 / NbN junction |
| キーワード(5)（和/英） | NbN接合 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 陳 暁 / Xiao Chen |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学部電子情報工学科 Faculty of Engineering,Yokohama National University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉川 信行 / Nobuyuki Yoshikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学部電子情報工学科 Faculty of Engineering,Yokohama National University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 菅原 昌敬 / Masanori Sugahara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学部電子情報工学科 Faculty of Engineering,Yokohama National University |
| 発表年月日 | 1993/7/26 |
| 資料番号 | SCE93-27 |
| 巻番号（vol） | vol.93 |
| 号番号（no） | 166 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |