講演名 1993/7/26
YBaCuO薄膜を用いたマイクロストリップライン共振器
吉武 務, 乾 哲司, 三浦 貞彦, 柘植 久尚,
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抄録(和) YBaCuO薄膜を用いてマイクロストリップライン共振器を作製しグランド, シールドの影響及びYBaCuO薄膜の構造とマイクロ波特性の関係を検討した。常伝導金属をグランド/シールドに用いると共振器の無負荷Q値はグランド/シールドの損失によって10^4以下に抑えられるが、超伝導材料を用いることによって10^5程度までの大きな無負荷Q値が得られた。微細な結晶粒からなる薄膜では無負荷Q値や共振器波数の入力パワー依存性はほとんど観察されなかったが、結晶粒の大きな薄膜は顕著なパワー依存性を示した。今回の結果は薄膜の組織制御が共振器特性の向上に重要であることを示している。
抄録(英) Effects of ground, shield and correlations between film structures and microwave properties were studied using YBaCuO microstripline resonators.Unloaded Q of the YBaCuO resonators with normal conductor ground/shielding was suppressed down to less than 10^4,while the superconducting Nb or YBaCuO ground/shielding improved the unloaded Q up to 10^5.The films with the small grain size showed only a little power dependence of the unloaded Q and the resonant frequency in contrast to the large dependence for the films with the large grain size.Our results indicated that the control of the film morphology would become the key for the development of the high quality resonators.
キーワード(和) YBaCuO / 酸化物超伝導体 / 薄膜 / マイクロ波 / マイクロストリップライン / 共振 器
キーワード(英) YBaCuO / oxide superconductor / film / microwave / microstripline / resonator
資料番号 SCE93-24
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1993/7/26(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) YBaCuO薄膜を用いたマイクロストリップライン共振器
サブタイトル(和)
タイトル(英) Microstripline resonators using YBaCuO films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) YBaCuO / YBaCuO
キーワード(2)(和/英) 酸化物超伝導体 / oxide superconductor
キーワード(3)(和/英) 薄膜 / film
キーワード(4)(和/英) マイクロ波 / microwave
キーワード(5)(和/英) マイクロストリップライン / microstripline
キーワード(6)(和/英) 共振 器 / resonator
第 1 著者 氏名(和/英) 吉武 務 / Tsutomu Yoshitake
第 1 著者 所属(和/英) NEC基礎研究所
Fundamental Research Laboratories,NEC Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 乾 哲司 / Tetsuji Inui
第 2 著者 所属(和/英) NEC資源環境技術研究所
Environment Protection Research Laboratories,NEC Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura
第 3 著者 所属(和/英) NEC基礎研究所
Fundamental Research Laboratories,NEC Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 柘植 久尚 / Hisanao Tsuge
第 4 著者 所属(和/英) NEC基礎研究所
Fundamental Research Laboratories,NEC Corporation
発表年月日 1993/7/26
資料番号 SCE93-24
巻番号(vol) vol.93
号番号(no) 166
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日