| 講演名 | 1996/7/24 容量成分を考慮したhigh-Tc SQUIDの動作解析 松田 瑞史, 久保 真輝, 栗城 真也, 増澤 和樹, 鈴木 大介, |
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| 抄録(和) | SrTiO_3など誘電率の高い基板上に高温超伝導SQUIDを作製する場合、インダクタンスのスリット部などに無視できない浮遊容量が生じ、共振現象等によってSQUIDの特性に影響を与えることが考えられる。ジョセフソン素子部に並列に、あるいはインダクタンスに並列に浮遊容量成分が存在するときの高温(77K)動作SQUIDの特性について、数値シミュレーションと実験データとの比較を行って、容量成分のSQUID出力に対する影響を調べた。 |
| 抄録(英) | Effects of large capacitance on the characteristics of high-Tc dc-SQUID are studied. In fabricating grain boundary junction SQUIDs,SrTiO_3 substrate is commonly used though it has high dielectric constant. Especially, for the SQUID with inductance by a narrow slit, large amount of parasitic capacitance can exist between the slit. Numerical simulations on characteristics of SQUIDs with large capacitance components parallel to the junctions or to the inductance, has been made by taking account the thermal noise at 77K. |
| キーワード(和) | 高温超伝導 / スキッド / 高誘電率 / 浮遊容量 / 変調電圧 |
| キーワード(英) | high-Tc / SQUID / large dielectric constant / parasitic capacitance / modulation voltage |
| 資料番号 | SCE96-17 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/7/24(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 容量成分を考慮したhigh-Tc SQUIDの動作解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of high-Tc SQUIDs with large capacitance components |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高温超伝導 / high-Tc |
| キーワード(2)（和/英） | スキッド / SQUID |
| キーワード(3)（和/英） | 高誘電率 / large dielectric constant |
| キーワード(4)（和/英） | 浮遊容量 / parasitic capacitance |
| キーワード(5)（和/英） | 変調電圧 / modulation voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 松田 瑞史 / M. Matsuda |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 久保 真輝 / M. Kubo |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 栗城 真也 / S. Kuriki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 増澤 和樹 / K. Masuzawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学電気電子工学科 Muroran Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 鈴木 大介 / D. Suzuki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 北海道大学電子科学研究所 Research Institute for Electronic Science, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 1996/7/24 |
| 資料番号 | SCE96-17 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |