| 講演名 | 1996/7/24 Ba_<1-x>K_xBiO_3/SrTiO_3:Nbヘテロ接合の作製と評価 鈴木 誠二, 山本 哲也, 鈴木 博, 川口 健一, 高橋 和彦, 善里 順信, |
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| 抄録(和) | 低エネルギー型超電導べース三端子素子の開発において、ベース/コレクタ接合となる酸化物ヘテロ接合界面の制御は重要な課題のひとつである。本報告では、Ba_<1-x>K_xBiO_3/Nb-doped SrTiO_3ヘテロ接合を作製し、その電気特性の評価を行った。アニール処理したSTO:Nb基板を使用して接合を作製した場合、順バイアスにおけるlog I-V特性は直線性が高く(n～1.5)、逆バイアスリーク電流も非常に小さい良好な整流特性を示した。さらに、空乏層内における誘電率の電界依存性を考慮したモデルによってC-V特性の解析を行い、BKBO/STO:Nb接合のバリア構造を決定した。 |
| 抄録(英) | Interfcical control of the oxide heterojunction is one of the important problems for the development of a low-energy-type superconducting-base-transistor. In this report,Ba_<1-x>K_xBiO_3/Nb-doped SrTiO_3 (BKBO/STO:Nb) heterojunctions were fabricated and investigated their electrical properties. The junction, which was fabricated with an STO:Nb substrate annealed in flowing O_2, showed straight-line behavior of the logarithm of the current as a function of forward bias voltage(n=1.5). It also showed low reverse current, which means good rectifying characteristics. C-V characteristics were analyzed with a model that considers the electrical field dependence of the dielectric constant in a depletion layer, and the barrier structure of the BKBO/STO:Nb was determined. |
| キーワード(和) | BKBO/STO:Nb / ショットキーバリア / 空乏層 / 誘電率 |
| キーワード(英) | BKBO/STO:Nb / Schottky barrier / depletion layer / dielectric constant |
| 資料番号 | SCE96-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Ba_<1-x>K_xBiO_3/SrTiO_3:Nbヘテロ接合の作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of Ba_<1-x>K_xBiO_3/SrTiO_3:Nb heterojunctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | BKBO/STO:Nb / BKBO/STO:Nb |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキーバリア / Schottky barrier |
| キーワード(3)（和/英） | 空乏層 / depletion layer |
| キーワード(4)（和/英） | 誘電率 / dielectric constant |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 誠二 / S. Suzuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) 筑波研究所 Tsukuba Research Center, SANYO Electric Co.,Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 哲也 / T. Yamamoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) 筑波研究所 Tsukuba Research Center, SANYO Electric Co.,Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 鈴木 博 / H. Suzuki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) 筑波研究所 Tsukuba Research Center, SANYO Electric Co.,Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 川口 健一 / K. Kawaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) 筑波研究所 Tsukuba Research Center, SANYO Electric Co.,Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 高橋 和彦 / K. Takahashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) 筑波研究所 Tsukuba Research Center, SANYO Electric Co.,Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 善里 順信 / Y. Yoshisato |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三洋電機(株) 筑波研究所 Tsukuba Research Center, SANYO Electric Co.,Ltd. |
| 発表年月日 | 1996/7/24 |
| 資料番号 | SCE96-15 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |