| 講演名 | 1996/7/24 PBCO系バリアを用いたエッジ接合の評価 堀部 雅弘, 太田 直男, 藤巻 朗, 早川 尚夫, |
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| 抄録(和) | 我々は、PrBa_2Cu_3O_<7-x>(PBCO)を中心にキャリア密度を変化させた材料をバリアに用いた,エッジ接合の特性を評価した. CaをドーピングしたPBCO(Ca_<0.5>Pr_<0.5>Ba_2Cu_3O_<7-x>,Ca-PBCO)はPBCOに比べ,キャリアオーバードープであり,超伝導臨界温度は20Kである.一方, GaをドーピングしたPBCO(PrBa_2Cu_<2.4>Ga_<0.6>O_<7-x>, PBCGO)はキャリアアンダードープであり,抵抗率はPBCOより大きい.PBCGOを用いた接合の電気的特性は局在準位を介した伝導特性によって説明できる.また, IcRn積はキャリアの減少に伴い増加し, PBCGOをバリアに用いた接合では4mVに達した.したがって,バリア材料のキャリアまたは局在準位の密度は,接合の電気的特性に関して非常に重要である. |
| 抄録(英) | We have studied the electrical properties of edge junctions using PrBa_2Cu_3O_<7-x>(PBCO)-based materials having various carrier density as the barrier layers. Ca-doped PBCO(Ca_<0.5>Pr_<0.5>Ba_2Cu_3O_<7-x>,Ca-PBCO) was an overdoped version of PBCO which had Tc～20K. On the other hand, Ga-doped PBCO(PrBa_2Cu_<2.4>Ga_<0.6>O_<7-x>, PBCGO) was an underdoped version of PBCO which resistivity was higher than that of PBCO. The transport properties of junctions with PBCGO barrier layer were interpreted as tunneling via localized states. Furthermore, the IcRn products increased with decrease in the carrier density, and reached 4mV in the YBCO/PBCGO/YBCO junctions. The density of carriers or localized states in the barrier materials played an important role for the electrical properties of the junctions. |
| キーワード(和) | Ca-PBCO / PBCGO / キャリア密度 / 局在準位 |
| キーワード(英) | Ca-PBCO / PBCGO / Carrier density / Localized state |
| 資料番号 | SCE96-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | PBCO系バリアを用いたエッジ接合の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A study on the edge junctions using PBCO families as the barrier layers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ca-PBCO / Ca-PBCO |
| キーワード(2)（和/英） | PBCGO / PBCGO |
| キーワード(3)（和/英） | キャリア密度 / Carrier density |
| キーワード(4)（和/英） | 局在準位 / Localized state |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 堀部 雅弘 / Masahiro Horibe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 工学部 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 太田 直男 / Tadao Ohta |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 工学部 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 藤巻 朗 / Akira Fujimaki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 工学部 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 早川 尚夫 / Hisao Hayakawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学 工学部 Department of Quantum Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 1996/7/24 |
| 資料番号 | SCE96-14 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |