講演名 1996/7/24
S-c-Sにおけるサブハーモニックギャップ構造
斉藤 敦, 後藤 浩治, 笹沼 拓也, 鈴木 清修, 中瀬 太郎, 濱崎 勝義,
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抄録(和) 超伝導体-constrictions-超伝導体(S-c-S)を電界蒸発法を用いて作製した。本手法を用いることにより、constriction長とAndreev反射確率を容易に変化させることができる。実験から得られた準粒子電流特性とその温度依存性は、S-c界面でのsingle-Andreev反射を基礎とする拡張したBTK理論と定量的に一致した。しかし、中にconstrictionが形成される絶縁層(MgO)が薄い場合のトンネル特性のときに観測されたサブハーモニックギャップ構造(SGS)は、界面の散乱ポテンシャルZ~0になったとき、multiple-Andreev反射を基礎としたOTBK 理論の予想とは異なり4.2KからT_までの全ての温度領域で観測されなかった。
抄録(英) Superconductor-constrictions-Superconductor(S-c-S) devices have been fabricated by field evaporation technique. By this, the constriction length and the Andreev reflection(AR) probability can be readily varied. The shape and the tempetature variation of the experimental I_(V) curves is found to be in good agreement with the calculated curves based on the single-AR model,i.e., the BTK model. However, subharmonic energy-gap structures(SGS), which were observed in tunnel contacts with thin insulator (MgO) layer, is not visible in dV/dI,d^2V/dI^2-V curves for Z~0 samples in the temperature ranges from 4.2K to T_.
キーワード(和) S-c-Sデバイス / サブハーモニックギャップ構造(SGS) / single-Andreev反射 / multiple-Andreev反射
キーワード(英) S-c-S device / Subharmonic energy-gap structure(SGS) / single-Andreev reflection / multiple-Andreev reflection
資料番号 SCE96-12
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1996/7/24(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) S-c-Sにおけるサブハーモニックギャップ構造
サブタイトル(和)
タイトル(英) Subharmonic energy-gap structures in S-c-S systems
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) S-c-Sデバイス / S-c-S device
キーワード(2)(和/英) サブハーモニックギャップ構造(SGS) / Subharmonic energy-gap structure(SGS)
キーワード(3)(和/英) single-Andreev反射 / single-Andreev reflection
キーワード(4)(和/英) multiple-Andreev反射 / multiple-Andreev reflection
第 1 著者 氏名(和/英) 斉藤 敦 / Atsushi Saito
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 電気系
Department of Electrical Enigineering, Nagaoka University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 後藤 浩治 / Koji Goto
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 電気系
Department of Electrical Enigineering, Nagaoka University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 笹沼 拓也 / Takuya Sasanuma
第 3 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 電気系
Department of Electrical Enigineering, Nagaoka University of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 鈴木 清修 / Kiyonobu Suzuki
第 4 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 電気系
Department of Electrical Enigineering, Nagaoka University of Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 中瀬 太郎 / Taro Nakase
第 5 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 電気系
Department of Electrical Enigineering, Nagaoka University of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 濱崎 勝義 / Katsuyoshi Hamasaki
第 6 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 電気系
Department of Electrical Enigineering, Nagaoka University of Technology
発表年月日 1996/7/24
資料番号 SCE96-12
巻番号(vol) vol.96
号番号(no) 174
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日