| 講演名 | 1996/7/24 イオンビームスパッタリングによるSrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> ヘテロ構造の形成と特性 齋藤 達也, 蔡 旭陽, 宇佐美 興一, 小林 忠行, 後藤 俊成, |
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| 抄録(和) | 基板付近の酸素圧を高めたイオンビームスパッタ法を用いて、STO/YBCOヘテロ構造を作成し、その特性を測定した。660℃で堆積した厚さ400nmのSTO膜において、77.4Kと4.2Kにおけるリーク電流が10^<-9>Aオーダーのゲート電圧範囲はほぼ対称で、±25Vであった。また500℃で堆積したSTO膜の4.2Kにおける比誘電率・絶縁耐圧積ε_<γS>E_ |
| 抄録(英) | We investigated the properties of SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> heterostructurea by ion beam sputtering (IBS) in high oxygen pressure (～10^<-2> Torr). The leakage current characteristics were almost symmetric for different polarizations. A 400-nm-thick STO film deposited at 660℃ had low leakage current up to ±25V at 77K and 4.2K. The products ε_<γS>E_ |
| キーワード(和) | イオンビームスパッタ / 高温超伝導体 / SrTiO_3 / ヘテロ構造 / 誘電特性 / 電界効果 |
| キーワード(英) | IBS / High T_C Superconductor / SrTiO_3 / Heterostructure / Dielectric Property / Field Effect |
| 資料番号 | SCE96-10 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/7/24(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | イオンビームスパッタリングによるSrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> ヘテロ構造の形成と特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of SrTiO_3/YBa_2Cu_3O_<7-x> Heterostructure by Ion Beam Sputtering and Its Properties |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオンビームスパッタ / IBS |
| キーワード(2)（和/英） | 高温超伝導体 / High T_C Superconductor |
| キーワード(3)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(4)（和/英） | ヘテロ構造 / Heterostructure |
| キーワード(5)（和/英） | 誘電特性 / Dielectric Property |
| キーワード(6)（和/英） | 電界効果 / Field Effect |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齋藤 達也 / T. Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科 The Unversity of Electro-Communications |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 蔡 旭陽 / X.Y. Cai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科 The Unversity of Electro-Communications |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宇佐美 興一 / K. Usami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科 The Unversity of Electro-Communications |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小林 忠行 / T. Kobayashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科 The Unversity of Electro-Communications |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 後藤 俊成 / T. Goto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電気通信大学 電気通信学部 電子情報学科 The Unversity of Electro-Communications |
| 発表年月日 | 1996/7/24 |
| 資料番号 | SCE96-10 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 174 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
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