| 講演名 | 1996/10/30 部分ドーピングを用いた誘電体べーストランジスタ : 誘電体ベーストランジスタの1V動作 (<特集>超伝導エレクトロニクス/一般) 波頭 経裕, 吉田 晃, 吉田 親子, 鈴木 秀雄, 横山 直樹, |
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| 抄録(和) | 超電導配線と接続できる誘電体ベーストランジスタの動作電圧を半導体回路のそれと同程度まで低減することは, ハイブリッド化に不可欠である. 動作電圧の低減にはチャネルの伝導帯の底のポテンシャルを低減することが不可欠である. そこで, SrTiO_3で構成されるチャネルにLaTiO_3を用いて選択的にキャリアをドーピングする技術を開発し, それを用いた誘電体べーストランジスタを作製した. その結果, 従来15V必要であった動作電圧を1V以下に低減することに成功した. 全面ドーピングでは0.025まで減少した電圧増幅率を, トランジスタ直下にのみ選択的にドーピングを行なうことで2.0まで改善した. これらの結果は, チャネルのエミッタに対するポテンシャルが2.5eVから0.3eVに低減されたことによる. |
| 抄録(英) | There has been a demand for high-performance dielectric-base transistors with lower operating voltages. To lower the operating voltage, the conduction band of the channel needs to be reduced. LaTiO_3 deposited on SrTiO_3 supplies carriers in the SrTiO_3 substrate by displacing Sr^<2+> and La^<3+>. Then, we carried out partial doping using a CeO 2 window. With the technique, we fabricated a YBCO/In_2O_3/SrTiO_3/LaTiO_3/SrTiO_3 transistor with a partially doped channel. The transistor operates under 1V while maintaining a voltage amplification factor of 2.0, which is one order smaller than the 15V operating voltage of a transistor with an un-doped channel. The base potential relative to the emitter conduction band has been reduced from 2.5 eV to 0.3 eV. |
| キーワード(和) | 超電導 / 誘電体べーストランジスタ / ドーピング / 動作電圧 / SrTiO_3 / LaTiO_3 |
| キーワード(英) | superconductivity / dielectric / transistor / doping / SrTiO_3 / LaTiO_3 |
| 資料番号 | SCE96-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/10/30(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 部分ドーピングを用いた誘電体べーストランジスタ : 誘電体ベーストランジスタの1V動作 (<特集>超伝導エレクトロニクス/一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dielectric-base transistor with doped channel : 1V operation of dielectric-base transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 超電導 / superconductivity |
| キーワード(2)（和/英） | 誘電体べーストランジスタ / dielectric |
| キーワード(3)（和/英） | ドーピング / transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 動作電圧 / doping |
| キーワード(5)（和/英） | SrTiO_3 / SrTiO_3 |
| キーワード(6)（和/英） | LaTiO_3 / LaTiO_3 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 波頭 経裕 / Tsunehiro Hato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Limited |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 吉田 晃 / Akira Yoshida |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Limited |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 吉田 親子 / Chikako Yoshida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Limited |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 鈴木 秀雄 / Hideo Suzuki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Limited |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 横山 直樹 / Naoki Yokoyama |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士通(株) Fujitsu Limited |
| 発表年月日 | 1996/10/30 |
| 資料番号 | SCE96-21 |
| 巻番号（vol） | vol.96 |
| 号番号（no） | 333 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |