| 講演名 | 1996/2/21 超伝導ゲート電極を用いたnMOSFETの極低温における特性 山本 圭一, 前澤 正明, 青柳 昌宏, 仲川 博, 黒沢 格, 松本 智, |
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| 抄録(和) | 超伝導、NbNゲート電極nMOSFETをp型Si(p-Si)、低不純物濃度Si(undoped Si)、n型Si(n-Si)基板を用いて作製した。4.2Kにおいては、基板にundoped Si、 n-Siを用いたnMOSFETは、基板にp-Siを用いた試料と同様に正常なトランジスタ特性を示した。今回作製した試料では4.2Kにおいて、nMOSFETの移動度が、p-Si基板を用いた試料より、大きかった。これはundoped Si、 n-Siを用いた試料ではチャネル内の不純物散乱確率が小さくなるためと考えられる。また、4.2KにおけるnMOSFETのしきい値電圧はp-Si、 undoped Si、 n-Si基板で有意な差は見られなかった。 | |
| 抄録(英) | We have studied superconductor NbN gate nMOSFETs fabricated on p-type Si, undoped Si and n-type Si substrates, respectively. The nMOSFETs on undoped Si and n-type Si have operated properly at 4.2K. Field effect mobility of nMOSFETs on undoped Si substrate is higher than nMOSFET on p-type Si. The difference in mobility is attributed to the difference of impurity density in channels. The observed threshold voltages of NbN gate nMOSFETs on p-type Si, undoped Si and n-type Si are almost the same value, about 1.8V at 4.2K. This result suggests that V_ | at very low temperature does not depend strongly on impurity type of the Si substrates. |
| キーワード(和) | NbNゲート電極nMOSFET / 移動度 / 低不純物濃度Si(undoped Si) / 低温動作MOSFET / しきい値電圧 | |
| キーワード(英) | NbN gate n-MOSFET / mobility / undoped Si / Cryo-MOSFET / threshold voltage | |
| 資料番号 | SCE95-42 | |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/2/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超伝導ゲート電極を用いたnMOSFETの極低温における特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characteristics of superconductor gate nMOSFET at very low temperature |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | NbNゲート電極nMOSFET / NbN gate n-MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | 移動度 / mobility |
| キーワード(3)（和/英） | 低不純物濃度Si(undoped Si) / undoped Si |
| キーワード(4)（和/英） | 低温動作MOSFET / Cryo-MOSFET |
| キーワード(5)（和/英） | しきい値電圧 / threshold voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 圭一 / Keiichi Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 Facuity of Science and Technology, Keio University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 前澤 正明 / Masaaki Maezawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 青柳 昌宏 / Masahiro Aoyagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 仲川 博 / Hiroshi Nakagawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 黒沢 格 / Itaru Kurosawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 松本 智 / Satoru Matsumoto |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 慶應義塾大学 Facuity of Science and Technology, Keio University |
| 発表年月日 | 1996/2/21 |
| 資料番号 | SCE95-42 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 531 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |