| 講演名 | 1996/2/21 表面清浄化されたInSb基板上へのNb薄膜の堆積. 長岐 貴之, 中山 明芳, 松永 英也, 小寺 薫, 植松 浩二, 金谷 正幸, 木谷 智行, 高橋 渉, 岡部 洋一, |
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| 抄録(和) | アニーリング処理により表面清浄化をおこなったInSb基板にin-situでNb薄膜を堆積し,そのストレスを調べた.またMBE法によりInSbのホモエピタキシャル成長も試みた.表面清浄化中やホモエピタキシャル成長中はRHEEDパターンにより基板の表面状態を観察した. InSb(111)B面を分子線強度比J_ |
| 抄録(英) | We investigate the stress of Nb thin films in-situ deposited on InSb substrates which surfaces are cleaned by annealing treatment. We also try to grow InSb films homoepitaxially on InSb substrates by MBE method. During the cleaning of the surface of InSb substrates and the homoepitaxial growth of InSb films, the surface condition of substrates are observed by RHEED patterns. It is confirmed that (3 × 1) In-stabilized structure appears if InSb films are grown by MBE on the (111)B oriented InSb substrates under the condition: the flux ratio of the molecular beams J_ |
| キーワード(和) | MBE法 / InSb / ホモエピタキシャル成長 / RHEED / 分子線強度比 / Nbストレス |
| キーワード(英) | MBE method / InSb / homoepitaxial growth / RHEED / flux ratio of the molecular beams / Nb stress |
| 資料番号 | SCE95-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/2/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面清浄化されたInSb基板上へのNb薄膜の堆積. |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Sputtering of Nb thin films on surface-cleaned InSb substrate. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MBE法 / MBE method |
| キーワード(2)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(3)（和/英） | ホモエピタキシャル成長 / homoepitaxial growth |
| キーワード(4)（和/英） | RHEED / RHEED |
| キーワード(5)（和/英） | 分子線強度比 / flux ratio of the molecular beams |
| キーワード(6)（和/英） | Nbストレス / Nb stress |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長岐 貴之 / Takayuki Nagaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 明芳 / Akiyoshi Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松永 英也 / Hideya Matsunaga |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小寺 薫 / Kaoru Kodera |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 植松 浩二 / Kouji Uematsu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 金谷 正幸 / Masayuki Kanaya |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 木谷 智行 / Tomoyuki Kitani |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 高橋 渉 / Wataru Takahashi |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 神奈川大学 工学部 電気工学科 Department of Electrical Engineering, Kanagawa University |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岡部 洋一 / Yoichi Okabe |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 東京大学 先端科学技術研究センター Research Center for Advanced Science and Technology, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 1996/2/21 |
| 資料番号 | SCE95-41 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 531 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |