| 講演名 | 1996/2/21 YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO積層型ジョセフソン接合の高品質化 中村 徳人, 佐藤 弘, Gjoen Stein R., 原 宏, 赤穂 博司, |
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| 抄録(和) | YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO積層型ジョセフソン接合における特性の分布改善のため、積層膜作製時に基板と基板ホルダーとの問にCu箔とAl箔から成るバッキングプレートを挿入し、基板温度の均一化をはかった。また薄膜表面の析出物を減少させるため、組成比を精密に制御した。PrBaCuOバリア厚が35mmで、面積が3×3μm^2～10×10μm^2の接合は、4.2Kにおいて余剰電流をもつがRSJ的な電流-電圧特性を示した。基板内における88個の接合に対する、磁場応答する電流のみをジョセフソン電流とした時の臨界電流密度Jcの分布、および面積Aで規格化した接合抵抗R_NAの分布は、標準偏差σが平均値の34%、25%となり、それぞれの分布が改善された。 |
| 抄録(英) | We have demonstrated improvement of junction properties for YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO trilayer junctions, using a backing plate of Cu and Al foils between substrate and sample holder to ensure the uniform substrate temperature during deposition of trilayer films, and controlling the film composition precisely to reduce the precipitated particles on the surface of the films. All junctions with a barrier thickness of 35nm and dimensions of 3 × 3 ～ 10 × 10μm^2 showed RSJ-like current-voltage characteristics with some excess currents at 4.2K. For the 88 junctions on the substrate, the 1-σ spreads of Josephson critical current density Jc and normalized junction resistance R_NA were obtained to be 34% and 25%, respectively, which is comparable to the results of ramp-edge type junctions. |
| キーワード(和) | YBaCuO積層型接合 / 基板温度の均一化 / りほびRメの分布 |
| キーワード(英) | YBaCuO trilayer junction / uniform substrate temperature / spreads of Jc and R_NA |
| 資料番号 | SCE95-39 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1996/2/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO積層型ジョセフソン接合の高品質化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Properties for YBaCuO/PrBaCuO/YBaCuO Trilayer Junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | YBaCuO積層型接合 / YBaCuO trilayer junction |
| キーワード(2)（和/英） | 基板温度の均一化 / uniform substrate temperature |
| キーワード(3)（和/英） | りほびRメの分布 / spreads of Jc and R_NA |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中村 徳人 / Norito Nakamura |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 千葉工業大学 Chiba Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 弘 / Hiroshi Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Gjoen Stein R. / Stein R. Gjoen |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 原 宏 / Ko Hara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 千葉工業大学 Chiba Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 赤穂 博司 / Hiroshi Akoh |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 電子技術総合研究所 Electrotechnical Laboratory |
| 発表年月日 | 1996/2/21 |
| 資料番号 | SCE95-39 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 531 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |