講演名 1996/2/21
ジョセフソントンネル接合作製のための酸化物格子工学
川崎 雅司, 久保田 秀幸, 土屋 龍太, 仲野 研一, 神田 直樹, 白石 正, 鯉沼 秀臣,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) ジョセフソントンネル接合を目指して我々が開発してぎた格子工学技術を概説する。高品質(平坦・高Tc ・クラックフリー) a軸配向Yba_2Cu_3O_<7-δ>を作製するためのバッファー層技術を確立した。湿式プロセスによるSrTiO_3基板の超平坦化技術の開発は、理想的な酸化物の二次元成長を可能にし、レーザーMBE法の成熟度を高めた。これらの技術をべースにS-I-S(超伝導層-絶縁層-超伝導層)サンドイッチ構造を作製し、デバイスを形成した。集束イオンビームで加工したデバイス断面の微細構造評価を行い、設計通りの構造形成が可能になってぎた状況を紹介する。
抄録(英) We have described our approach to the fabrication of high-Tc Josephson tunnel junction. We developed "temperature gradient method " to obtain high quality (smooth, high Tc, and crack free) a-axis oriented Yba_2Cu_3O_<7-δ> (YBCO) films by inserting a suitable buffer YBCO layer. Wet etching technique was developed to finish the SrTiO_3 substrate with an atomically smooth surface. This surface enabled us to perform perfect layer-by-layer growth of insulating oxides by laser MBE. Combining these techniques, we have fabricated S (superconducting)-I (insulating)-S structures and processed them into devices. The cross sectioned microstructure was examined for the specimens cross-sectioned by focused ion beam milling. The structures from atomic scale to device scale were elucidated to be consistent with those we have designed.
キーワード(和) a軸配向YBCO薄膜 / RHEED / FIB / SIM / TEM
キーワード(英) a-axis oriented YBCO thin films / RHEED / FIB / SIM / TEM
資料番号 SCE95-36
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1996/2/21(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ジョセフソントンネル接合作製のための酸化物格子工学
サブタイトル(和)
タイトル(英) Crystal Engineering of oxide films for Josephson tunnel junction
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) a軸配向YBCO薄膜 / a-axis oriented YBCO thin films
キーワード(2)(和/英) RHEED / RHEED
キーワード(3)(和/英) FIB / FIB
キーワード(4)(和/英) SIM / SIM
キーワード(5)(和/英) TEM / TEM
第 1 著者 氏名(和/英) 川崎 雅司 / Masashi Kawasaki
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学・工業材料研究所
The Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 久保田 秀幸 / Hideyuki Kubota
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学・工業材料研究所
The Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 土屋 龍太 / Ryuta Tsuchiya
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学・工業材料研究所
The Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 仲野 研一 / Kenichi Nakano
第 4 著者 所属(和/英) 東海大学工学部
Tokai University
第 5 著者 氏名(和/英) 神田 直樹 / Naoki Kanda
第 5 著者 所属(和/英) 東京工業大学・工業材料研究所
The Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
第 6 著者 氏名(和/英) 白石 正 / Tadashi Shiraishi
第 6 著者 所属(和/英) 東海大学工学部
Tokai University
第 7 著者 氏名(和/英) 鯉沼 秀臣 / Hideomi Koinuma
第 7 著者 所属(和/英) 東京工業大学・工業材料研究所
The Research Laboratory of Engineering Materials, Tokyo Institute of Technology
発表年月日 1996/2/21
資料番号 SCE95-36
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 531
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日