講演名 1995/10/25
ナノブリッジを用いた Abrikosov Vortex Flow Device
楠 正暢, 鬼頭 傑, 吉田 宗司, 安藤 浩哉, 藤 巻朗, 早川 尚夫,
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抄録(和) ナノブリッジを用いることによって、熱効果を伴わず動作するAbrikosov Vortex Flow Transistor (AVFT)を作成した。Ic-φ、V-φ特性の周期構造は従来のSQUIDと同じであった。しかし、I-V特性はジョセフソン効果とは異なるAbrikosovボルテクスフローを示した。このことによりジョセフソン接合を用いなくともSQUIDを作成することが可能であることが明らかになった。この現象はブリッジ幅を小さくすることによってボルテクスの出入りに伴う周回電流と外部磁場の遮蔽電流の和が臨界電流に対し無視し得なくなったため生じたと考えられる。電圧振幅が0.5mV、dV/dφが2.6mV/φ0であり、電流-電圧変換器への期待が大きい。スイッチ速度は素子サイズが小さいことが反映され数psと見積もられ、十分高速動作が期待できる。
抄録(英) Abrikosov vortex flow transistors (AVFT) with nano bridges were studied. The periodic modulations of voltage (V) and critical current (Ic) for an external magnetic field (φ) were observed from 4.2 K to critical temperature. This result indicated that the AVFT operated without thermal heating effects. This periodic modulation of the V-φand Ic-φcurves were similar to those of a familiar SQUID. However, the current (I)-V characteristic showed Abrikosov vortex motion that was different from Josephson effect. Modulation depth and dV/dφ were 0.5mV and 2.6mV/φ0 at 10K, respectively. This type of AVFT is expected to be current-voltage converter. The switching speed of this device is estimated to be a few pico second.
キーワード(和) AVFT / ナノブリッジ / 周期的変調 / SQUID / 電流-電圧変換器
キーワード(英) AVFT / nano bridge / periodic modulation / SQUID / current-voltage converter
資料番号 SCE95-23
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1995/10/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) ナノブリッジを用いた Abrikosov Vortex Flow Device
サブタイトル(和)
タイトル(英) Abrikosov Vortex Flow Device with Nano Bridges
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) AVFT / AVFT
キーワード(2)(和/英) ナノブリッジ / nano bridge
キーワード(3)(和/英) 周期的変調 / periodic modulation
キーワード(4)(和/英) SQUID / SQUID
キーワード(5)(和/英) 電流-電圧変換器 / current-voltage converter
第 1 著者 氏名(和/英) 楠 正暢 / M Kusunoki
第 1 著者 所属(和/英) 名古屋大学 工学部
Department of Electronics, Nagoya University
第 2 著者 氏名(和/英) 鬼頭 傑 / M Kito
第 2 著者 所属(和/英) 名古屋大学 工学部
Department of Electronics, Nagoya University
第 3 著者 氏名(和/英) 吉田 宗司 / S Yoshida
第 3 著者 所属(和/英) 名古屋大学 工学部
Department of Electronics, Nagoya University
第 4 著者 氏名(和/英) 安藤 浩哉 / S Andoh
第 4 著者 所属(和/英) 名古屋大学 工学部
Department of Electronics, Nagoya University
第 5 著者 氏名(和/英) 藤 巻朗 / A Fujimaki
第 5 著者 所属(和/英) 名古屋大学 工学部
Department of Electronics, Nagoya University
第 6 著者 氏名(和/英) 早川 尚夫 / H Hayakawa
第 6 著者 所属(和/英) 名古屋大学 工学部
Department of Electronics, Nagoya University
発表年月日 1995/10/25
資料番号 SCE95-23
巻番号(vol) vol.95
号番号(no) 338
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日