| 講演名 | 1995/10/25 InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性 赤崎 達志, 高柳 英明, 新田 淳作, 榎木 孝知, |
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| 抄録(和) | 高い電子輸送特性を有し、電界効果による制御性に優れたInAs層挿入InAlAs/InGaAs逆構造HEMTを用いたジョセフソン電界効果トランジスタ(JOFET)を作製した。この素子は、従来のJOFETでは得られなかった超伝導臨界電流とノーマル抵抗の優れた制御性を有していることがわかった。さらに、極低温において、常伝導電流の制御性も通常のHEMT以上の特性を示すことがわかった。これらの結果から、このJOFETが超伝導電流を制御する超伝導接合にも常伝導電流を制御するHEMTにも成りうることが明らかになった。 |
| 抄録(英) | A newly fabricated Josephson field effect transistor (JOFET) is coupled with an InAs-inserted-channel InAlAs/InGaAs inverted HEMT which has high electron transport properties and superior controllability by the field effect. We indicate that the superconducting critical current I_c as well as the junction's normal resistance R_N can be completely controlled via a gate voltage of -1V. Moreover, this JOFET has also superior controllability of the normal current at low temperature to a conventional InAs-inserted-channel InAlAs/InGaAs inverted HEMT. These results show that this JOFET can be used as both superconductor and semiconductor device. |
| キーワード(和) | InAs / 逆構造HEMT / JOFET / 三端子動作 / トランスコンダクタンス / voltage gain |
| キーワード(英) | InAs / inverted HEMT / JOFET / three-terminal operation / transconductance / voltage gain |
| 資料番号 | SCE95-21 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
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| 開催期間 | 1995/10/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Superconductive Electronics (SCE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs 層挿入 InAlAs/InGaAs 逆構造 HEMT を用いた JOFET の素子特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Device characteristics of JOFETs using InAs-inserted-channel InAlAs/InGaAs inverted HEMTs |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs / InAs |
| キーワード(2)（和/英） | 逆構造HEMT / inverted HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | JOFET / JOFET |
| キーワード(4)（和/英） | 三端子動作 / three-terminal operation |
| キーワード(5)（和/英） | トランスコンダクタンス / transconductance |
| キーワード(6)（和/英） | voltage gain / voltage gain |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 赤崎 達志 / Tatsushi Akazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高柳 英明 / Hideaki Takayanagi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 新田 淳作 / Junsaku Nitta |
| 第 3 著者 所属（和/英） | NTT基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 榎木 孝知 / Takatomo Enoki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | LSI研究所 LSI laboratories |
| 発表年月日 | 1995/10/25 |
| 資料番号 | SCE95-21 |
| 巻番号（vol） | vol.95 |
| 号番号（no） | 338 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |