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講演名 1998/1/28
超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
斉藤 敦, 松下 剛, 鵜沢 佳徳, 王 鎮, 濱崎 勝義,
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抄録(和) 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスにおける電磁波 (8-12GHz) 応答特性の実験結果について報告する。マイクロ波電力が零の場合、デバイスの微分抵抗曲線はAndreev反射モデルで計算した理論曲線と良い一致を示した。マイクロ波を照射したとき、"Shapiroステップ"とは異なる新しい電磁波誘起微分抵抗ピークが最大で2.5mVのバイアス電圧まで観測された。これらのピークの振幅と電圧周期はバイアス電圧とともに増大した。電圧周期はJosephson関係式2eV=mhvには相関がなく、照射電力 (P_) にも依存しなかったが、その電圧位置はP_の増加とともに高電圧側へシフトした。実験的に見出したこれらの新しいマイクロ波誘起ステップの多くの特徴は、既存のLC共振やマイクロ波誘起卜ンネリングでは説明できない。
抄録(英) We report the experimental result on microwave properties of superconductor-constrictions-superconductor (S-c-S) devices. In the absence of microwave irradiation the differential resistance dV/dI curve was good agreement with the theoretical curve calculated from single-Andreev reflection model. New microwave-induced steps up to 2.5mV were observed that differ from the features of the well-known "Shapiro steps". The amplitudes and spacing of the dV/dI peaks increased with bias voltage. The spacing did not correspond to the Josephson conditions 2eV=mhv, and not depended on microwave power P_. The dV/dI peak positions, however, shifted to higher voltage regime as increasing P_. Many features of these microwave-induced steps can not be explained by the existing LC resonance or microwave-assisted tunneling.
キーワード(和) 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイス / 電磁波誘起ステップ / Andreev反射
キーワード(英) superconductor-constrictions-superconductor devices / microwave-induced steps / Andreev reflection
資料番号 SCE97-42
発行日

研究会情報
研究会 SCE
開催期間 1998/1/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Superconductive Electronics (SCE)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイスのマイクロ波特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Microwave properties of superconductor-constrictions-superconductor devices
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 超伝導体-constrictions-超伝導体デバイス / superconductor-constrictions-superconductor devices
キーワード(2)(和/英) 電磁波誘起ステップ / microwave-induced steps
キーワード(3)(和/英) Andreev反射 / Andreev reflection
第 1 著者 氏名(和/英) 斉藤 敦 / Atsushi Saito
第 1 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学・工・電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 松下 剛 / Tsuyoshi Matsushita
第 2 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学・工・電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 鵜沢 佳徳 / Zeng Wang
第 3 著者 所属(和/英) 通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
Nagaoka University of Technology, KARC CRL
第 4 著者 氏名(和/英) 王 鎮 / Yoshinori Uzawa
第 4 著者 所属(和/英) 通信総合研究所関西支所 超伝導研究室
Nagaoka University of Technology, KARC CRL
第 5 著者 氏名(和/英) 濱崎 勝義 / Katsuyoshi Hamasaki
第 5 著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学・工・電気系
Department of Electrical Engineering, Nagaoka University of Technology
発表年月日 1998/1/28
資料番号 SCE97-42
巻番号(vol) vol.97
号番号(no) 516
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日